ємно компенсуються. При цьому середнє значення заряду, зобов'язане постійному зсуві нуля, дорівнює нулю, а зобов'язана шумів - зменшується, причому тим більшою мірою, чим менше частоти спектру шуму.
В
Рис.7 - Тактирование ключів у схемі МдМ
Вибір аналогових ключів
Оскільки МДП - транзистор всього лише керований затвором нелінійний резистор, то на МДП - транзисторі не залишається залишкової напруги, і їм можна абсолютно точно комутувати аналогові сигнали.
В
Рис.8 - Перший каскад СДМ
На малюнку 9 показана схема першого каскаду СДМ. Модулятором управляють двофазні, неперекривающіеся тактові сигнали разом із затриманими їх версіями. Через низький вхідного синфазного напруги 400мВ, використовуваного в кожному інтеграторі, ключі S3, S4, S7 і S8, відповідно вибираємо на основі n-канального транзистора. Ключі S1, S2, S5, S6 вибираємо як КМДП ключі через великого діапазону вхідного сигналу. p align="justify"> У другому каскаді беремо все n-МДП ключі.
У даній роботі ми будемо використовувати n-МДП ключі з вольтодобавки на затворі, що не залежить від рівня вхідного сигналу. Використання вольтодобавок на затворі збільшує перевищення над порогом транзистора ключа. p align="justify"> Для технології 0,35 мкм максимальна напруга живлення 3,3 В. Використання вольтодобавки незалежної від вхідного сигналу дозволить нам подавати на затвори ключів напругу 1,8 +0,8 * 1.8 = 3,24 В, що якраз не перевищить цю вимогу. br/>В
Рис.9-Електрична схема вузла формування вольтодобавки, що не залежить від Vin
В
Рис.10-Схема моделювання n-МДП ключа
В
Рис.11-Графіки вхідного і вихідного сигналу при моделюванні
Напруга на ємності повинно досягти недоробки менше половини МЗР, тобто повинно бути не більше, ніж мкв
В
Рис.12-Графік вимірювання недоробки напруги на ємності
В
Рис.13-Схема моделювання КМДП ключа
В
Рис.14-Графіки вхідного і вихідного сигналу при моделюванні КМДП ключа
В
Рис.15-Графік вимірювання недоробки напруги на ємності
Висновок
У роботі було показано, що використання схем на конденсаторах, що - це реальний підхід до проектування низьковольтних сигма-дельта модуляторів з високою роздільною здатністю, навіть якщо доступні тільки транзистори з високим пороговим напругою. В описаному експериментальному сигма-дельта модуляторі, низька напруга було досягнуто за допомогою інтеграторів на конденсаторах, що, які використовують двохкаскадний підсилювач класу A/AB з диференціальним входом і з вихідними синфазними рівнями напруги. p align="justify"> Щоб підтримати низький рівень опору для аналогових ключів, використовувалася вольтодобавки, яка не залежить від рівня вхідного...
