хуємо номінали цих елементів:
Задамося значенням опору резистора R=220 (Ом), воно не повинно перевищувати значення:
.
Тоді, враховуючи час наростання вхідної напруги, приймемо значення імпульсу скидання тривалістю 200мс, розраховуємо значення ємності С:
Вибираємо З рівний 910 (пФ).
За довідником [4] вибираємо резистор: МЛТ - 0,25-220ом ± 5%.
За довідником [4] вибираємо конденсатор: К10-23-910мкФ - 16B ± 10%.
6. Схема збігу кодів
Пристрій збіги кодів можна побудувати наступним способом:
використовувати дешифратор, при цьому вихідні сигнали необхідно знімати з виходів дешифратора, номери яких відповідають коду літери прізвища з ім'ям. Цей спосіб універсальний, так як сигнал можна з?? Имать з будь-якого з виходів дешифратора. В якості дешифраторів будемо використовувати мікросхему К155ІД7, УДО і цоколевка якого представлені на малюнку 5. Таблиця істинності представлена ??в таблиці 5. Параметри К155ІД7 представлені в таблиці 6.
Рис.5 УДО і цоколевка К155ІД7.
Таблиця 5. Таблиця істинності К155ІД7 .
Таблиця 6. Параметри К155ІД7.
Параметри E=5 ВВходной ток логічного 0, мА - 1.6Входной ток логічної 1, мА 0.04Входное напруга логічного 0, В - 1.4Входное напруга логічної 1, В 3.2Виходное напруга логічного 0, В 0.4Виходное напруга логічної 1, В 2.4
Для формування неповного матричного дешифратора необхідно 9 елементів 2ИЛИ-НЕ (за кількістю неповторюваних букв прізвища). Для цього вибираємо 3 мікросхеми К155ЛЕ1.
Мікросхема К155ЛЕ1 виконує логічну функцію 4 2ИЛИ-НЕ.
Основні параметри:
Рис.6 Мікросхема типу ЛЕ1.
Виходячи з цього, складемо схему неповного матричного дешифратора.
Рис. 7. Схема збігу кодів на неповному матричному дешифраторі.
7. Регістри пам'яті
В якості регістрів пам'яті застосована мікросхема К155ІР27.
Мікросхема К155ІР27 являє собою восьмизарядний регістр з потужними виходами для управління великий ємнісний або низкоомной навантаженням і може бути використана в якості магістрального формувача. Базовим елементом мікросхеми є D - тригер. Запис інформації з входів D відбувається при подачі на синхровхід З позитивного напруги. Високий рівень напруги на вході EZ переводить виходи в восокоімпедансное стан, при цьому в регістр може як зберігати так і запам'ятовувати нову інформацію.
Його умовне позначення і цоколевка - на рис.8
Рис.8 Умовне позначення ІС типу ІР27
Призначення висновків даної мікросхеми наведено в таблиці 7:
Таблиця 7.
Таблиця істинності мікросхеми К155 ІР27:
Таблиця 8.
де
Н - високий рівень напруги
L - низький рівень напруги
Х - невизначений стан
8. Мінімізація булева висловлювання
Користуючись таблицею 1, складаємо булево вираз:
Запо...
