. Напруга постійного зсуву на базі транзистора:
В.
. Для забезпечення необхідного кута відсічення встановлюємо дільник напруги R1-R2. Для обраного транзистора R2? 100 Ом. Якщо Еб=12 В, то:
Ом.
За ГОСТом вибираємо R1=270 Ом.
. Значення Сф і Lф розраховані раніше (див. розрахунок підсилювача потужності). Вони рівні Сф=0,01 мкФ; Lф=70,4 нГн.
. Значення ємності:
пФ.
Вибираємо її однотипної з Сф, тобто Сф=0,01 мкФ.
. Розраховуємо вхідний опір каскаду:
;
нГн;
Ом;
;
;
;
нГн;
пФ;
.
. Розраховуємо Lдр:
нГн.
Візьмемо Lдр=5,6 мГн.
. РОЗРАХУНОК амплітудний модулятор
Схеми амплітудних модуляторів
Схеми амплітудних модуляторів з базовим або емітерним зміщенням при включенні транзистора з ОЕ наведено на рис. 7.1.
Рис. 7.1
Порівняння схем (а) і (б) показує наступне:
. Схема базової модуляції по звуковій частоті навантажена базовим струмом, а схема емітерний модуляції - емітерним струмом; тому друга схема для модуляції вимагає більшої потужності.
. Схема емітерний модуляції має кращу лінійністю, ніж схема базової модуляції, в якій лінійність зберігається до m=0,75-0,8.
. В іншому схеми однакові.
Рис. 7.2
Схеми амплітудних модуляторів з емітерний?? М або базовим зміщенням при включенні транзистора з ПРО наведено на рис. 7.2.
Процеси в обох схемах однакові, достоїнства і недоліки аналогічні схемами з ОЕ.
Якщо порівняти схеми з ОЕ та ОБ, то достоїнства і недоліки модуляторів прямо визначаються схемою включення транзистора.
Модулятори з емітерним або базовим зміщенням працюють в Недонапряженіе режимі.
Деякі схеми колекторної модуляції наведено на рис. 7.3.
а) б)
Рис. 7.3 а, б
Транзистори VT 1 в цих схемах працюють в перенапруженням режимі, коли в імпульсі колекторного струму спостерігається провал і різко збільшується базовий струм.
Схема (а) здійснює одинарну колекторну модуляцію. Недоліки схеми полягають в наступному:
. Оскільки перша гармоніка струму бази має велику величину, сильно мінливу за період модуляції, то це обумовлює потужний попередній каскад, що працює на різко мінливий за період модуляції вхідний опір.
. Необхідність мати окремий потужний джерело зміщення транзистора VT 1, т.к. споживаним струмом є постійна складова струму бази, сильно змінюється за період модуляції.
У схемі (б) подвійний колекторної модуляції, крім модуляції на колектор транзистора VT 1, здійснюється автоматично в такт з модулюючим сигналом, але противофазно основний модуляції на колектор, модуляція зміщенням на базу того ж транзистора. Це проводиться за рахунок низькочастотної напруги, що виділяється на ланцюжку R б C б.
У цій схемі транзистор VT1 працює також в перенапруженням режимі. Проте за рахунок ланцюжка R б C б ступінь напруженості режиму знижується, зменшується амплітуда імпульсу базового струму, а разом з цим зменшуються перша гармоніка і постійна складова базового струму, що...
