електрика:
lд=LН.О + 2 *? LВ.Н.=1,77 * 10-5 +2 * 2 * 10-6=2,17 * 10-5 (4.6)
Параметри всіх конденсаторів наведені у таблиці 4.1
КонденсаторUраб, мк ВСjmax2АВ.О. м2LВ.О. мLН.О. мLД МС10, 12 * 10-3 Ф/м29, 43 * 10-119,71 * 10-61,37 * 10-52,17 * 10-5С20, 432 * 10-3 Ф/м29, 43 * 10-119 , 71 * 10-61,37 * 10-52,17 * 10-5С30, 275 * 10-3 Ф/м22, 35 * 10-101,53 * 10-51,93 * 10-52,33 * 10 -5С42, 72 * 10-3 Ф/м29, 43 * 10-119,71 * 10-61,37 * 10-52,17 * 10-5С51, 45 * 10-3 Ф/м22, 35 * 10-101, 53 * 10-51,93 * 10-52,33 * 10-5
Розрахунок геометричних розмірів резисторів
При проектуванні підсилювача, отримали наступні значення резисторів:
R1=100 Ом; R2=200 Ом; R3=120 Ом; R4=20 Ом; R5=20 Ом; R6=200 Ом; R7=70 Ом.
Важливим параметром резистора, багато в чому визначає його характеристики, є
(4.7)
де b ефф.0 - мінімальна ефективна ширина, обумовлена ??технологічними обмеженнями; b ефф.Р -мінімальна ефективна ширина, обумовлена ??допустимої питомої розсіюваною потужністю ( Р 0 ); b ефф.Т -мінімальна ефективна ширина, що забезпечує задану точність виготовлення.
Значення b ефф.Р знаходиться з виразу для допустимої потужності ( Р ), що розсіюється резистором, яка повинна задовольняти нерівності
(4.8)
де Р0? 5 Вт/мм2 - допустима питома потужність. Звідси випливає, що
(4.9)
В якості діелектрика для резисторів виберемо реній.
Розрахуємо потужність рассеиваемую на резистори R1:
Р1=Up12/R1=(0.8 * 10-6) 2/100=6.4 * 10-15 Вт (4.10)
(4.11)
Визначимо Bт=(2 *? bT) / (? R-? Rs)=(2 * 0.2 * 10-6) / 0.2-0.1=4 * 10-6 (4.12)
Де:? b T =0,2 * 10-6м.
? R - похибка в номіналах опорів.
? Rs - похибка в номіналі поверхневого опору.
Розрахуємо коефіцієнт форми:
КФ1=R1/Rко=100/250=0,4 (4.13)
Знайдемо довжину резистора:
L1=КФ1 * bефф=0,4 * 30 * 10-6=1,2 * 10-5 м (4.14)
Де: bефф - мінімально ефективна ширина.
Параметри всіх резисторів наведені у таблиці 4.2
РезісторUраб, мкВP, Bтbp, мbt, мКфL, мR10,86,4*10-155,65*10-114*10-60,41,2*10-5R26,53,2*10-152,82*10-114*10-60,892,4*10-5R36,45,33*10-154,71*10-114*10-60,482,44*10-5R40,23,2*10-152,82*10-104*10-60,082,4*10-6R51,463,2*10-152,82*10-104*10-60,082,4*10-6R624,23,2*10-152,82*10-114*10-60,82,4*10-5R7249,14*10-158,08*10-114*10-60,288,4*10-6
4.2 Розробка топології кристала
Вихідними даними є принципова електрична схема з заданим розташуванням контактних майданчиків і геометричні розміри елементів. На цьому етапі вирішуються такі питання, як визначення необхідного числа ізольованих областей, мінімізація можливого числа перетинів комутаційних шин елементів і довжини шин.
На даному етапі розглядається ряд варіантів топології, що відрізняються компонуванням окремих вузлів. У процесі розробки варіантів топології відбувається переміщення елементів, зміна їх форми, зокрема, багаторазовий вигин каналів резисторів, зміна ...
