нзисторів VT7 і VT8 використані за три паралельно з'єднаних транзистора типів КТ864А і КТ865А. Струм спокою підсилювача напруги - 300, вихідного каскаду - 3000 мА. Резистори R10 і R11 входять у ланцюги місцевих безінерційних ООС. Вони також можуть бути використані в якості датчиків активних систем установки і підтримки струму спокою транзисторів вихідного каскаду.
Схема УМЗЧ з максимально укороченим трактом посилення
УМЗЧ з вихідним каскадом на біполярних МОП-і СІТ-транзисторах [7]
В останні роки в УМЗЧ високої вірності широко застосовуються однотактні вихідні каскади на біполярних МОП-і СІТ-транзисторах. Такі каскади можуть працювати тільки в режимі А, що заздалегідь визначає їх потенційну лінійність. Спектр спотворень таких підсилюючих елементів містить значно менше вищих гармонік і з більш низькими амплітудами. Однак конструювання таких каскадів має свої складнощі, пов'язані із забезпеченням достатньої вихідної потужності, відведенням від транзисторів зайвого тепла, забезпеченням температурної стабільності режимів транзисторів.
Необхідно сконструювати високолінійний однотактний вихідний каскад на біполярних транзисторах з вихідною потужністю близько 60 Вт на канал. Для харчування вихідного каскаду потужністю 60 Вт підійде джерело живлення з напругою 50 В. При ККД=20% його постійна потужність складе 300 Вт, а середній вихідний струм - 3 А. Для живлення двоканального вихідного каскаду необхідне джерело живлення з постійною потужністю 600 Вт і постійним вихідним струмом 6 А. У динамічному режимі споживані пікові потужність і струм складуть 1200 Вт і 12 А відповідно.
Далі вибір типу і числа транзисторів вихідного каскаду. Це буде транзистор структури npn КТ864А. Для нього оптимальний струм спокою порядку 1 А. При струмі спокою 3 А в підсилювачі і джерелі струму необхідно включити в паралель по три таких транзистора. Розсіюється на кожному транзисторі потужність складе 50 Вт. Для підтримки нульового потенціалу на виході підсилювача необхідно вжити заходів щодо термостабілізації режимів джерел струму по струму. Цього можна домогтися, включивши в нижню ланку дільника зміщення кремнієві діоди. Для термостабілізації режимів підсилювача струму слід в підсилювачі напруги застосувати будь-який варіант термокомпенсірованний джерела зсуву, транзистор або діоди якого рекомендується розмістити на теплоотводе транзистора. Можлива повна схема УМЗЧ з таким вихідним каскадом зображена на рис.
Схема УМЗЧ з вихідним каскадом на біполярним МОП-і СІТ-транзисторах
УМЗЧ з однокаскадного посиленням напруги [8]
Це неинвертирующий УМЗЧ, схема його показана на рис. 1.3.4. Підсилювач являє собою потужний високовольтний ОУ з одним каскадом підсилення. Його показники значно перевершують аналогічні параметри багатокаскадних пристроїв по швидкості, смузі і точності. Це досягається завдяки покращеній однокаскадного архітектурі і режиму роботи з глибокої та широкосмугового ООС. Вхід УМЗЧ виконаний на МДП приладах, але навіть з польовими транзисторами в диференціальному каскаді вдалося отримати достатньо великий коефіцієнт посилення без зворотного зв'язку. Його значення на частоті 1кГц становить не менше 100 000. Номінальна вихідна потужність підсилювача на навантаженні 8 Ом - 50 Вт, номінальна вхідна напруга - 1,1 В, коефіцієнт...
