2 · [(5.2, 55/3) - 2]=907.5 мкм
Рассчитаємо довжину резистивної плівки меандра:
? м=nопт. (B0 + bрасч.),
для R2:? м=2 · (532.875 +245)=1555.75 мкм,
для R3:? м=3 · (907.5 +242)=3448.5 мкм.
Визначимо повну довжину резистивної плівки:
? повн. =? М + 2e,
де e - розмір перекриття контактною площадкою резистивної плівки вибирається з технологічних обмежень (е? 200).
для R2:? повн. =1555.75 + 2 * 200=1955.75 мкм,
для R3:? повн. =3448.5 + 2 * 200=3848.5 мкм.
Розрахуємо габаритну площа Sr, займану меандром.
Sr=AB0.
для R2: Sr=980.532 .875=522217.5 мкм2? 0,00522175 см2
для R3: Sr=1452.907 .5=1317690 мкм2? 0,0131769 см2
Визначимо площу SRi резистивної плівки:
Ri =? повн. bрасч.
для R1: SR1=1539.6 · 308=474196.8 мкм2? 0,004741968 см2
для R2: SR2=1955.75 · 245=479158.75 мкм2? +0,0047915875 См2
для R3: SR3=3848.5 · 242=931 337 мкм2? 0,00931337 см2
Визначимо потужність розсіювання PRi резистором:
,
де - питома потужність розсіювання матеріалу резистивної плівки, значення якої береться з табл. 4.2.
Для R1:
Для R2:
Для R3:
Визначимо коефіцієнт КЗ запасу по потужності:
Для R1:
Для R2:
Для R3:
Для всіх резисторів, отже, всі резистори задовольняють вихідним вимогам мінімально допустимої потужності розсіювання.
Визначимо загальну площу резисторів ІМС:
Загальна площа SRIрезісторов, розташованих на підкладці ІМС, розраховується за формулою:
де I - кількість резисторів на підкладці.
На підкладці розташовані резистори R1, R2 і R3
Після проведених розрахунків резистори, розташовані на підкладці ІМС, зображені на рис. 3.1.2 (масштаб 20:1):
Ріс.3.1.2
3.2 Розрахунок тонкоплівкових конденсаторів
Плівковий конденсатор являє собою тришарову структуру, нанесену на діелектричну підкладку. Перший шар - провідний шар, який є нижній обкладкою конденсатора, другий шар являє собою одношаровий або багатошаровий діелектрик, і третій шар - провідний шар верхньої обкладки конденсатора.
Мета розрахунку-визначення геометричних розмірів і форми тонкоплівкових конденсаторів, що забезпечують отримання конденсаторів з відтворюваними і стабільними параметрами.
Для мікроскладення використані конденсатори квадратної форми (рис. 3.2.1):
Рис.3.2.1
Розрахунок товщини d діелектрика конденсатора проводиться з умови забезпечення електричної міцності Епр:
Значення d визначається за формулою:
d=k3Up/Enp, [см],
де k3=3 - коефіцієнт запасу,
Up=3 В - робоча напруга,
Епр=3.106 В / см - електрична міцність для БСС.
Для всіх конденсаторів: d=3.3 / (3.106)=3см.
Визначаємо питому ємність C0d конденсатора, відповідну необхідної електричної міцності:
C0d=0,0885? / d, [пФ/см2],
де d - товщина, см,? =3,9 - діелектрична проникність на частоті 1кГц (див. табл. 1.2.1).
Для всіх конденсаторів: Cod=0,0885 · 3,9 / 3.10 -6=115050 пФ/см2
Розрахунок допустимої пох...
