Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Технологія та техніка виготовлення бескорпусной інтегральної мікросхеми

Реферат Технологія та техніка виготовлення бескорпусной інтегральної мікросхеми





ибки gSдопплощаді здійснюється за формулою:


gSдоп=gCi-gCo-gCт-gстC. ,


де: gCi =?? Ci? і gСо-допуск на номінал і похибка відтворення удельнойемкості, значення яких наведені в табл. 1.1.1

gCi=| ± 10% |=0.1

gСо=2%=0.02

gCт - температурна похибка, яка розраховується за формулою:

gCт =? Ci??

де:? Ci - температурний коефіцієнт ємності ТКС, характеризує відхилення? Ci (?) ємності від номінального значення Ci залежно від зміни температури??. Значення? Ci є довідковою величиною,? C1 =? C2 =? C3=0,2 · 10-4 1 / ° С,? Т=60 ° С-інтервал робочих температур.

gCт=0,2 · 10-4 · 60=0.0012

gстC - похибка обумовлена ??старінням матеріалів, розраховується за формулою:


gстС=КстС ·? t.


де: КстС - коефіцієнт старіння ємності, характеризує зміну? Ci (t) ємності Ci залежно від часу t, Кстс=10-5 1/час,? t - час експлуатації конденсатора. ? T=103 годин.

gстС=10-5 · 103=0,01


gSдоп=gCi-gCo-gCт-gстC=0,1-0,02-0,0012-0,01=0,0688


Розрахуємо питому ємність C0S конденсатора, відповідну допустимої похибки площі gSдоп конденсатора.

Для конденсатора прямокутної форми з площею верхнього майданчика S=A? B здійснюється за формулою:


C0S=Сi (gSдоп / DA) 2 Kф / (1 + Kф) 2, [пФ/см2],


де Кф=А / В - коефіцієнт форми конденсатора; А - велика сторона верхньої обкладки конденсатора, [см];

? А =? В - помилка (точність виготовлення) лінійних розмірів, [см] (? А =? В=10 мкм=0,001 см), при виготовленні геометричної форми обкладки конденсатора вибирається квадратної форми: А=В, величина Кф =1 і, отже:


C0S=Сi (gSдоп / DA) 2/4, [пФ/см2].


Для конденсатора Cl: C0S=8814,29 (0.0688 / 0,001) 2/4=10430478,21 пФ/см2

Для конденсатора C2: C0S=4667,21 (0.0688 / 0,001) 2/4=+5522989,6256 пФ/см2

Для конденсатора C3: C0S=1848,08 · (0.0688 / 0,001) 2/4=+2186943,9488 пФ/см2

Визначаємо мінімальну питому ємність С0m конденсатора, що забезпечує заданий значення Up, а також відповідає необхідній величині gCi =? dCi?, за умовою:

0m=min {C0d, C0S}, [пФ/см2].


Для конденсатора Cl: C0m=min {115050, 10430478,21}=115050 пФ/см2

Для конденсатора С2: С0m=min {115050, +5522989,6256}=115050 пФ/см2

Для конденсатора С3: С0m=min {, +2186943,9488}=115050 пФ/см2

Розрахуємо площу SВверхней обкладки конденсатора:

в=Ci / С0m, [см2]


Для конденсатора Cl: SB=8814,29 / 115050=см2

Для конденсатора С2: SB=4667,21 / 115050=см2

Для конденсатора С3: SB=1848,08 / 115050=см2

> 0.01 см2 - діелектрик задовольняє потрібним вихідними даними.

Визначаємо габаритні розміри АВ і ВВ верхньої обкладки конденсатора.

Для конденсатора прямокутної форми розміри обкладання визначаються вибраним коефіцієнтом форми Кф=Ав / Вв, задаючись, з урахуванням технологічних вимог та обмежень, розміром Вв. Тоді:



Так як обраний конденсатор квадратної форми, для якого Кф=1 то:



Для конденсатора С1: см;

Для конденсатора С2: див

Для конденсатора С3: див

Розраховуємо габаритні розміри АН і ВН нижньої обкладки конденсатора.

Для конденсатора квадратної форми:


?? =?? =?? +2?,


де:? ? 200 мкм - технологічн...


Назад | сторінка 7 з 15 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Пристрій конденсатора
  • Реферат на тему: Зарядка і розрядка конденсатора
  • Реферат на тему: Автоматична система контролю конденсатора
  • Реферат на тему: Розрахунок конденсатора-холодильника у виробництві бензолу
  • Реферат на тему: Розрахунок тонкоплівкових елементів (резистора і конденсатора)