0-35 200мкФ 5В
Знаходимо величину струму спокою бази транзистора:
Iб0=ІК0 / h21Еmin.
Знаходимо величину напруги спокою між базою і емітером транзистора.
Оскільки у відкритому стані транзистора напруга між його базою і емітером становить близько 0,6 В, то напруга спокою бази
Б0=0,6 В
І можна знайти орієнтовне значення вхідного опору транзистора
Rвх=Uб0 / Iб0
Знаходимо величину опорів резисторів дільника R1, R2.
Величина струму в дільнику вибирається в межах
ІД=(2? 5) ІБ0,
Що забезпечує незалежність завдання режиму спокою транзистора при зміні його параметрів від впливу температури, при заміні транзисторів і ін
Падіння напруги на резисторі R е становить
Е=(IK0 + Iб0) R е.
Тоді
R1=
5.3кОм
R2=
Знаходимо потужність, що виділяється в резисторах R1 і R2:=(Iб0 + IД) 2R1;
=IД2R2.
R1=5.6 кОм 0.125 Вт; R2=270 Ом 0.125 Вт
Знаходимо ємність конденсатора С2.
Ємність С2 вибираємо з умови забезпечення допустимого значення коефіцієнта частотних спотворень Мн:
С2?
значення отримаємо в мікрофарадах.
Робоча напруга С2 приймемо рівним
=1,5 EK
К50-35 5мкФ 50В
Знаходимо амплітудні значення струму і напруги на вході каскаду:
вх.т=
Де h21Е min - мінімальне значення коефіцієнта передачі струму в схемі з ОЕ для обраного транзистора.
Uвх.т=Iвх.тrвх.
Необхідна потужність вхідного сигналу
Рвх=
120мкВ
Знаходимо розрахункові коефіцієнти підсилення каскаду по струму, напрузі та потужності
К1=h21Е min
КU=h21Е min
.5
КP=K1KU;
[КP] дБ=101g КP.
Висновок
Каскад розрахований правильно, якщо значення коефіцієнта посилення по потужності дорівнюють приблизно 20 дБ, як і було, прийнято раніше.
Так як, діапазон можливих значень коефіцієнта посилення по струму у транзистора дуже широкий: для КТ502 він становить h21Е=40 ... 120, то каскад має запас щодо посилення.
Література
1. Валенко В.С. Напівпровідникові прилади та основи схемотехніки електронних пристроїв / Под ред. А.А. Ровдо. - М., 2001. - 368 с.
. Опадчий Ю.Ф. та ін Аналогова та цифрова електроніка (Повний курс): Підручник для вузів / Ю.Ф. Опадчий та ін-Телеком, 1999.
. Довідник з розрахунку електронних схем. / Б.С. Гершунский.- Київ: Вища школа; Вид-во при Київ. ун-ті, 1983. - 240 с.
. Гусєв В.Г., Гусєв Ю.М. Електроніка. - М.: Вища школа, 1991.
Додаток 1
Таблиця 3 - Основні параметри деяких транзисторів
Тип транзістораСтруктураРк макс, мВтh21Е (?)? h21 МГцГранічний режімКлас по мо...
