створюють, як правило, шар збіднення. Цей шар викликає додаткове звуження проводить каналу, в результаті чого квантові ефекти можна спостерігати і в смужках більшої ширини - порядку десятої частки мікрона. Можна зробити й інакше. Поверхня напівпровідникової структури покривають металевим електродом, що створює з напівпровідником контакт Шоттки і мають вузьку щілину. Якщо гетерограніцамі знаходиться досить близько від поверхні, в шарі збіднення, то двовимірні електрони на кордоні будуть відсутні усюди, крім вузької області під щілиною. Такий тип одновимірної структури володіє додатковою перевагою: змінюючи напругу на затворі, ми можемо керувати ефективною шириною квантової нитки і концентрацією носіїв в ній.
Висновок
Минуло понад 30 років з тих пір, як почалося вивчення квантових ефектів в напівпровідникових структурах. Були зроблені чудові відкриття в галузі фізики низькорозмірних електронного газу, досягнуті вражаючі успіхи в технології, побудовані нові електронні та оптоелектронні прилади. І сьогодні у фізичних лабораторіях активно тривають роботи, спрямовані на створення і дослідження нових квантових структур і приладів, які стануть елементами великих інтегральних схем, здатних з високою швидкістю переробляти і зберігати величезні обсяги інформації. Можливо, що вже через кілька років настане ера квантової напівпровідникової електроніки.
Література
1. Квантові ями, нитки, точки. Що це таке? Деміховський В.Я. Соровский освітній журнал, № 5, 1997
2. Квантові нитки. А.Я. Шик. Соровский освітній журнал, № 5, 1997
. В.Я. Деміховський, Г.А. Вугальтер Фізика квантових низькорозмірних структур. М.: Логос, 2000.
