'язано з низькою пробивною здатністю карбіду кремнію. Цей матеріал по міцності поступається тільки алмазу, що дозволяє використовувати його в багатьох сферах виробництва. Існують і проблеми пов'язані з трудомісткістю травленням карбіду кремнію у зв'язку з його високою міцністю. Але в даний час і ця проблема практично вирішена. За типом кристалічної решітки монокристаллический карбід кремнію ідентичний структурі алмазу. Показник заломлення чистого бездомішкового карбіду кремнію коливається близько (2.50, 2.55), алмаз (2.40). Тому синтетичний карбід кремнію не сильно відрізняється від алмазу, що дає можливість використовувати його як дорогоцінний камінь. Елемент майбутнього, так вважає більшість фахівців у цій галузі.
У цьому курсової був зроблений короткий детальний огляд проблеми. Використовувалися досягнення багатьох відомих авторів. А також представлений власний результат апробації одного з методів напилення омічних контактів, а саме - вакуумне напилення із системою електронно-променевого випаровування.
Список літератури
1. Випрямний діод на основі карбіду кремнію/Анікін ММ., Попов І.В., Севастьянов В.Є., Сиркін А.Л., Суворов А.В., Челноков В.Є., Шпьшев Г.П.// Листи в ЖТФ. 1984. ТЛО. В.7. С. 1058-1056.
2. Високотемпературні діоди на основі карбіду кремнію./Анікін М.М., Попов І.В., Стрельчук А.М. та інших.//Тез. докл. Всесоюзну. Совещ. по СПП, Біла церква. 1985. С.128.
3. Дмитрієв В.А., Іванов П.А, Попов І.В., Стрельчук А.М., Сиркін А.Л., Челноков В.Є.// Листи в ЖТФ. 1986. Т. 12. В. 13. С. 773-776.
4. SiC - 6H польовий транзистор з рекордною для карбідкремнійових транзисторів крутизною./Анікін М.М., Іванов П.А., Сиркін А.Л., Царенко Б.В., Челноков В.Є.// Листи в ЖТФ. 1989. Т. 15. В. 16. С. 36-42.
5. Crofton J., McMullin PG, Williams JR, Bozack MJ/High-temperature ohmic contact to n-type 6H-SiC using nickel.- J. Appl.Phys., V.77, p. l317 (1995).
. Liu S., Smith SR, Adams S., Severt C, Leonard J.//Second Intern. High Temperature Electron. Conf., Nom Carolina, USA, Xm - 9, (1994).
7. Crofton J., Barnes PA, Williams JR, Edmond JA Contact resistance measurements on p-type 6H-SiC.// Appl.Phys.Lett. 1993. V. 62, P. 384.
8. Improved ohmic contacts to p-type 6H-SiC/Spie L., Nennewitz 0., Pezoldt J.//Silicon Carbide and Related Mat. Proc.Conf. Kyoto. Japan. 1995. Ser. №142. P. 585.
9. Ohmic contacts to p-type 6H-silicon carbide/Nennewitz O., Bretemitz V.//Abstr. of conf. European workshop or materials for advanced metallization's. 1995. Radebeul, Gemany.
. Андрєєв О.М., Растегаева М.Г., Растегаев В.П., Рейганів С. До питання про облік розтікання струму в напівпровіднику при визначенні перехідного опору омічних контактів./ФТП. 1998. Т. 32. В. 7. С. 832-837.
11. Meyer D.E. Ohmic contacts to semiconductors .// Electrochem.Soc. 1969. V. 4. P. 227.
12. Родерік Е.Х./Контакти метал-напівпровідник.- М., Радіо і зв'язок, 209 с (1982).
. Lin ME, Ma Z., Huang FY, Fan ZF, Allen LH, Morkoc H. Low resistance ohmic contacts on wide band-gap GaN.// Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. P. 1003.
14. Fan Z., Monamad SN, Kim W., Aktas O., Botehkarev AE, Suzue K., Morkoc H., Duxstad K., Haller EE Ohmic contacts and Schottky Barriers ton-GaN .// J.Electron.Mater. 1996. V.25. N11. P. +1703.
. Brander R. Silicon Carbide Electrol Devices.// Electrol Record. 1969. V.116. P. 329-333.
. Brander R., Sutton R. Solution growth SiC pn- junctions .// Brit.J.Appl.Phys. 1969. V.2. N3. P. 309-319.
. Brander R. The fabrication of SiC electroluminescent displayers.// Proc.of Int.Conf. on Silicon Carbide. 1968. Perg.Press. P. 187-198.
18. Карбідкремнієві pn-структури, отримані рідинної епітаксії. Дмитрієв В.А., Іванов П.А., Коркін І.В. та ін./Письма в ЖТФ. 1985. Т.П. В.4. С. 238-241.
19. Dmitriev V.A. et al.// USSR Author Certificate N1726571, December 15. 1991.
20. Muench W., Heeck P. Silicon Carbide Bipolar Transistor.// Sohd State Electron. 1978. V. 21. P. 479-480.
. Shibahara H., Kuroda N., Nishina H., Matsunami H. Fabrication of pn junction diodes using homoepitaxielly grown 6H-SiC at low temperature by CVD.// Spn.J.Appl.Phys. 1987. V. 26. P. 1815-1817.
. Muench W., PfafFender J. Epitaxial deposition of silicon carbide from SiC14 and C6H8.// Thin.Sol.Films. 1976. №31. P. 39.
. Іванова Л.І., Плетюшкін A.A. Кінетика утворення з газової...
