фази.// Ізв.АНСССР. Сер.Неорг.Мат. 1967. Т.З. №10. С. 1817-1822.
. Campbell R., Chy T.L./Epitaxial grown of SiC by the termal Reduction.-J.Electr.Soc., V. 113, N8, p.825-828 (1966).
25. Отримання чистих шарів карбіду кремнію./Мохов Е.Н., Рамм М.Г., Веренчікова Р.Г., Ломакіна Г.А./ЯІ Всесоюзн.совещ. по широкозонному полупроводнікам.Тез. докл. Л .: ЛЕТІ. 1979. С. 51.
26. Vodakov Yu.A., Mokhov EN, Ramm MG, Roenkov AD Epitaxial growth of silicon carbide layers by sublimation sandvich -memod.// Krist. undTechnik. 1979. V. 14. P. 729-740.
27. Рамм MX., Мохов EH, Веренчікова PX Про кінетичної залежності розчинності азоту в карбіду кремнію/Изв. АН СРСР. Сер. Неорг. мат. 1979. т.15. №12. С. 2233-2234.
. Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F. Investigation of kinetic and thermal conditions of silicon carbide epitaxial layers growth from the vapor phase.// J.Cryst.Growth. 1979. V. 46. P. 403-409.
. Vodakov Yu.A., Mokhov E.N./Patent of Great Britain №1458445, 21.02.1974.
30. Анікін MM, Гусєва Н.Б., Дмитрієв BA, Сиркін А.Л. Ріст і структурну досконалість епітаксійних шарів SiC при їх вирощуванні сендвіч -методом у відкритій ростової системі.// Ізв.АН СРСР. СерДеорг. мат. 1984. №10. С. 1768-1770.
31. Аншшн MM, Попов І.В., Челноков В.Є., Шпинев Г.П.// Технологія напівпровідникових приладів., Таллін: Валгус. 1984. С. 177-181.
32. Miyarava Т., Yoshida S., Misava S., Gonda S. Summary Abstract: Growth of 3C-SiC on silicon by molecular and ion beam epitaxy.// J.Vac.Sci.Technol.B. 1985. V. 3. P. 730-731.
. Miyarawa Т., Yoshida S., Misava S., Gonda S. Molecular and ion beam epitaxy of 3C-SiC.// J.Appl.Phys.Lett. 1984. V. 45. P. 380-382.
. Kaneda S., Sakamoto Y., Nishi C, Kanaya M., Hannai S. The growth of single crystal of 3C-SiC on Si substrate by MBE method using mum 'electron beam heating.// Jpn.J.Appl.Phys. 1986. V. 25. P. 1307-1311.
. Kaneda S., Sakamoto Y., Mihara Т., Tanaka T. MBE growth of 3C-SiC/6H-SiC and electric properties of its pn- janction.// J.Cryst.Growth. 1987.V.81. P. 536-542.
36. 3C-SiC MOSFET devicesYShobahara R., Saito Т., Noshino S., Matsunami H.//Ext.Abstr.of the 18-th Intern.Conf. on Solid State Devices and Materials. Tokyo 1986. P. 717-718.
. Kando Y., Takahashi Т., Ishii K., Hayashi Y., Sakuma E., Daimon H., Yamanaka M., Yoshida S. High Temperature Operation of Silicon Carbide MOSFET.// Jpn.J.Appl.Phys. 1987. V. 26. P. 310-311.
38. Васильєв Й.Г., Боєва Г.Г., Рижиков І.В. Напилені контакти до карбіду кремнію.// Електр. Техніка. Сер, 2. полуприем. Прилади. В. 1970. Т. 3 (53). С. 63-66.
. Васильєв І.Г., Боєва Г.Г. Сміта Т.Г., Рижиков І.В./Омічні контакти до карбіду кремнію п-типу.- Обмін досвідом в електронній промисловості, в. 7, с. 27-32 (1969).
40. Висота бар'єру в діодах Шотткі, сформованих на основі п-SiC-БН./Андрєєв А.Н., Лебедєв А.А., Растегаева М.Г. та інших.//ФТП.
1995. Т. 29. В. 10. С. 1833-1843.
. На11 R. Electrical contacts to silicon carbide.// J.Appl.Phys. 1958. V.29.
P.914-917.
. Пихтіна AH, Попов В.А., Яськов Д.А. Омічні контакти до напівпровідників, отримані за допомогою лазера.// ФТП. 1969. Т.З
ВД 1. С. 1646-1648.
. Пихтіна А.Н., Попов В.А., Яськов Д.А. Отримання омічних контактів до напівпровідників .// ПТЕ. 1970. №2. С. 238-239.
. Васильєв І.Г., Боєва Г.Г. Омічні контакти до широкозонному полупрводнікам - арсенід галію, фосфіду галію і карбіду кремнію./Юбзори з електронної техніки. Сер. Технол. і орг. Виробництва. 1070. В. 19. С. 212.
. Наумов А.В., Нікітін СВ., Остроумов А.Г., водаки Ю.А. Ni і Au-Та контакти до n-SiC (6H).// Lt; DTn. 1987. Т. 21. В. 2. С. 377-378.
. Growth of Large Silicon Carbide Boules./Avrov DD, Bakm AS, Dorozhkin SI et al//The Twelfth Int.Coiif.on Cryst.Growth. Israel. 1988. P. 37
47. McDonald J.A ./- III-Ys Res.- 6, p. 77 (1993).
. Kordina 0., Bergman JP, Henry A., Janzen E., Savage S., Andre J., Ramberg LP, Lindefelt U., Hennansson W., Bergman K. A 4,5 kV 6H silicon carbide rectffier.// Appl.Phys.Lett. 1995. V. 67. P. 1 561.
. NMOS and PMOS high temperature enhancement-mode devices and circuits in 6H-SiC/Slater DB, Lipkin LA, Jonson GM, Suvorov AV and Palmour J.W.// Proc. of 6 * Int. Conf. Silicon Carbide and Related Mat. 1995. P. 805.
