med on the same chip 12 as a semiconductor switching device 11. A constant current circuit 14 supplies a constant current to the anode of the temperature sensing diode 13, and the anode potential of the temperature sensing diode 13 is used as a temperature signal indicating the temperature state of the semiconductor switching device 11. In this case, the circuit (not shown) that receives the temperature signal is designed to have a high input impedance, as is well known in the art. The forward voltage (Vf) of the temperature sensing diode 13 has a negative temperature coefficient (when the forward current is maintained constant), as shown in FIG. 11. should be noted that during the switching operation of the semiconductor switching device 11, negative noise is superimposed on the anode potential of the temperature sensing diode 13 due to wire inductance, loops, etc., resulting in a reduction in the anode potential. To prevent this, a CR filter 15 is inserted between the anode of the temperature sensing diode 13 and the output terminal to shape the temperature signal. , As the switching frequency increases, the potential of the temperature signal from the temperature sensing diode 13 gradually decreases, as shown in FIG. 12. Therefore, a conventional temperature detector may output an erroneous output signal even if the temperature signal from the temperature sensing diode 13 is shaped by the above filter, since the portions of the temperature signal affected by the negative noise may have a lower potential level than a predetermined threshold level. OF THE INVENTION present invention has been devised to solve the above problem. It is, therefore, an object of the present invention to provide a temperature detector that can avoid outputting erroneous temperature signals during the switching operation of the semiconductor switching device. to one aspect of the present invention, a temperature detector for outputting a temperature signal comprises: a temperature sensing diode formed on the same chip as a semiconductor switching device and having a specific temperature vs. voltage characteristic, wherein the temperature detector outputs the anode potential of the temperature sensing diode as the temperature signal; a constant current circuit for supplying a current to the anode of the temperature sensing diode; and anode potential holding means for holding the anode potential of the temperature sensing diode as the temperature signal at the start of switching operation of the semiconductor switching device. , The present invention provides a temperature detector that can avoid outputting erroneous temperature signals during the switching operation of the semiconductor switching device. and further objects, features and advantages of the invention will appear more fully from the following description.
Додаток Б
Блок живлення МАА20-1К9-СКН, основні характеристики.
Серії модулів МАА і МДД випускаються для використання в жорстких умовах експлуатації. Вони захищені полімерним компаундом і елементна база для них підібрана для роботи в розширеному діапазоні температур. Основні параметри модулів серій МАА і МДД дані в таблиці Б.1.
Таблиця Б.1 - Основні параметри модулів серій МАА і МДД
Характеристики МАА20-1К9-СКН:
Вихідна потужність 20Вт
Вихідна напруга 9 В, 1 канал
Вхідна напруга 115В 400 Гц
Максимальний вихідний струм 2,2А.
Додаток В
Мікроконтролер AT89C51CC02 фірми Atmel, основні характеристики.
Малюнок В.1- Призначення основних висновків мікроконтролера
VCC - харчування + 3..5,5 В
VSS, VAGND - загальний
VAVCC - харчування для АЦП - опорна напруга для АЦП
P1.0..P1.7 - 8-бітовий порт вводу-виводу. Крім того дані висновки можуть використовуватися в якості входів АЦП
P3.0..P3.7 - 8-бітовий порт вводу-виводу. Крім того дані висновки можуть використовуватися як джерела переривання, лічильників, програмування, UART і для інших функцій.
XTAL1 - вхід осцилятора
XTAL2 - вихід осцилятора
Мікроконтролер містить 8 мультіплексіруемих входів АЦП, вбудований UART, CAN-контролер, 256 байт оперативної пам'яті, 16 кілобайт пам'яті програм.
