тора в активному режимі. Схема містить такі елементи: R е-диференціальний опір емітерного переходу (те ж, що і для схеми з ПРО); rк (е) диференціальне опір колекторного переходу в схемі з ОЕ,;- Джерело струму, керований струмом бази, який відображає підсилювальне властивість транзистора по струму - залежність струму колектора від струму бази об'ємний опір бази (те ж, що і для схеми з ПРО).
Транзистор як активний чотириполюсник
Для розрахунку електронних схем при відносно малих збільшеннях струмів і напруг транзисторів, коли вони працюють на лінійних ділянках характеристик, можуть застосовуватися Т-образні схеми заміщення. Параметри транзистора, що входять до Т-подібну схему заміщення, безпосередньо характеризують фізичні властивості тришарової напівпровідникової структури. Прямий їхній вимір неможливо. Тому часто більш зручно розглядати транзистор у вигляді активного чотириполюсника, параметри якого можна визначити дослідним шляхом на основі вимірювання струмів і напруг на висновках. При цьому інформація про внутрішню фізичній структурі не потрібно. При малих збільшеннях струмів і напруг на вході і виході транзистора взаємозв'язок між ними буде лінійною, як і у лінійного чотириполюсника. Цей взаємозв'язок виражається системою двох лінійних рівнянь.
Для транзистора як чотириполюсника в якості незалежних змінних зазвичай приймають прирощення вхідного струму і вихідної напруги, а прирощення вхідного напруги і вихідного струму виражають через так звані h-параметри транзистора:
;
.
Невідомі h - параметри транзистора легко визначаються дослідним шляхом:
- вхідний опір транзистора при незмінному вихідній напрузі;
- коефіцієнт передачі струму при незмінному вихідній напрузі;
- коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі при незмінній вхідній струмі;
- вихідна провідність транзистора при незмінній вхідній струмі.
Конкретні значення h - параметрів залежать від схеми включення транзистора, режиму роботи і можуть бути визначені за відповідними статичним характеристикам. Так, для схеми з ПРО по вхідним характеристикам (рис. 2, в) можна при будь-яких заданих дати збільшення струмів, напруг і знайти
відповідно по вихідним характеристикам (рис. 2, б):
h - параметри пов'язані з параметрами Т-подібної схеми заміщення наступним чином:
;
Подібним же чином визначаються h - параметри для схеми з ОЕ (рис. 4, в):
;
;
Н схемі з ОЕ h - параметри виражаються через параметри відповідної Т-подібної схемою заміщення (Рис. 3, б) наступним чином:
З цих співвідношення видно взаємозв'язок h - параметрів у схемі ОЕ з h - параметрами схеми ОБ.
Параметр має малу величину (і при наближених розрахунках звичайно не враховується. На рис. 3, в показана схема заміщення транзистора на основі h-параметрів. Вона не відображає внутрішню структуру транзистора, але встановлює взаємозв'язок між приростами струмів і напруг на його висновках.
Схема заміщення транзистора із загальним емітером
Дану Т-подібну схему можна вважати дещо спрощеною. На схемі заміщення показані основні первинні (власні) параметри транзистора: опір емітера r е, бази r б і колектора r к. Первинні та вторинні параметри між собою знаходяться у взаємному зв'язку. Розрахунки вторинних параметрів засновані на тому, що транзистор представляється у відеактівного чотириполюсника. При розрахунку та аналізі схем інформаційної електроніки користуються системою h-параметрів. Якщо вхідні струм і напруга позначити I вх, U вх, а вихідні - I вих, U вих, то їх зв'язок через h-параметри виражається у вигляді рівнянь:
З рівнянь незалежно від схеми включення можна визначити всі h-параметри: h11, h12, h21, h22.
Як правило, в довідниках наводяться дані лише по деяких з h-параметрів, найчастіше - h21. Цього недостатньо для розрахунку транзисторних схем.
Для визначення інших h-параметрів, а також уточнення h21 використовуються статичні вхідні і вихідні характеристики. При цьому на прямолінійних ділянках ВАХ вибираються робочі точки, будуються характеристичні трикутники, де відзначаються збільшення струмів і напруг, і по їх відношенню розраховуються всі h-параметром, відповідні обраної схемою включення. Далі по розрахованим значенням h-параметрів визначаються первинні або власні параметри транзистора.
Розрахунок h-параметрів для КТ207А з ОЕ.
За сімейства вхідних характеристик можна визначити вхідний опір і коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі. Для розрахунку цих параметрів на характеристиках вибирається прямолінійний ділянку, будуються характеристичні трикутники і визначаються прирости напруг і струмів.
Вхідний опір h11 при...
