залежність колекторного струму від напруги між колектором і емітером Ik=F (Uке) при Іб=const (рис. 4, б). Як і для схеми з ПРО, тут можна виділити три характерні області: I - початкову область; П - область відносно слабкої залежності Ik від Uке; III - пробою колекторного переходу.
Вихідні характеристики транзистора в схемі з ОЕ відрізняється від відповідних характеристик у схемі з ПРО. Зокрема, вони починаються з точки з координатами О, О і ділянка I розташовується в першому квадранті. При Uке=0 напруга на колекторному переході одно Uбе, колекторний перехід зміщений у прямому напрямку і інжектується дірки в базу. Потоки дірок через колекторний перехід (від колектора в базу і від емітера в колектор) взаємно врівноважуються і струм Ik0. У міру підвищення напруги Uке в області I пряму напругу на колекторному переході знижується, його інжекція уменьша ється і струм Ik зростає. На кордоні з областю II пряме напруга на колекторному переході знижується до нуля, оскільки Uке стає рівним за величиною Uбе. В області II | Uке | gt; | Uбе | і на колекторному переході діє зворотна напруга. Точка переходу з області I в область II відповідає напруга Uке порядку 5,5 - 1,5 В.
Відмінність характеристик для схеми з ОЕ в області II видно, якщо висловити струм колектора Ik через струм бази Іб. Замінимо у виразі (2) струм емітера сумою Iб + Ik, після підстановки отримаємо
або
(3)
де b - коефіцієнт передачі струму бази, b=a/(1-a); Iкео - початковий струм колектора прй Iб=0, Iкео=Iко/(1-a)=Iко (1 + b); rк (е) - диференціальний опір колекторного переходу в схемі з ОЕ; rк (е)=rк (1-a)=rкб/(1 + b)
Коефіцієнт b показує зв'язок струму колектора з вхідним струмом Iб. Якщо для транзисторів коефіцієнт a=0,95 ... 0,998 ..., тоb gt; gt; 1, b20 ... 1000. Транзистор в схемі з ОЕ дає посилення по струму. Це є найважливішою перевагою включення транзистора по схемі з ОЕ, чим і визначається більш широке поширення цьому схеми включення в порівнянні зі схемою з ПРО.
Так само, як і в схемі з ПРО, вихідні характеристики мають деякий нахил до осі абсцис (рис. 4.б), викликані ефектом модуляції бази. Однак цей нахил в схемі з ОЕ більше, ніж у схемі з ПРО, оскільки малі зміни коефіцієнта, a під дією зміни напруги на колекторному переході дають значні зміни коефіцієнта b=a/(1-a). Це явище враховується останнім доданком у правій частині рівняння (3). У результаті диференціальний опір з rк (е) колекторного переходу в схемі з ОЕ в (1 + b) разів менше диференціального опору rк, в схемі з ПРО і становить 30 - 40 кОм.
Через висновок бази в зустрічному напрямку протікають дві складові струму, зворотний струм колекторного переходу і частина струму емітера. У результаті нульове значення струму бази визначається рівністю зазначених складових струмів:=Iко. Нульового вхідному струмі відповідає струм емітера і струм колектора. При нульовому струмі бази через транзистор в схемі з OЕ протікає початковий або наскрізний струм.
Якщо ж емітерний перехід перевести в непроводящее стан, подавши зворотна напруга, то струм колектора знизиться до і буде визначатися зворотним (тепловим) струмом колекторного переходу, що протікає, по ланцюгу база - колектор. Область характеристик, лежачу нижче характеристики, відповідної, називають областю відсічення.
Колекторні характеристики в схемі з ОЕ більш істотно схильні до температурних зсувам. Це зумовлено, по-перше, значною величиною початкового струму, температурні зміни якого в (1 +) разів перевищують зміни теплового струму, і, по-друге, більш сильними температурними змінами коефіцієнта при відносно малих температурних змінах коефіцієнта
У схемі з ОЕ пробою колекторного переходу настає при колекторному напрузі в 1,5 - 2 рази меншому, ніж у схемі з ПРО.
ВХІДНІ характеристики транзистора, включеного за схемою з ПРО, відображають залежність струму бази від напруги база - емітер при фіксованій напрузі колектор - емітер:
(Мал. 4, в).
Струм бази становить малу частину струму емітера.
При вхідна характеристика проходить через початок координат. Струм бази дорівнює сумі струмів емітера і колектора, що працює в режимі емітера, складова відсутня. При подачі негативного напруги на колектор відбувається зменшення струму, тобто, зміщення вниз характеристик щодо кривої з через ефект модуляції бази. У струмі при присутній складова Iко, тому при вхідні характеристики починаються з від'ємного значення струму бази, рівного. Транзистор включений за схемою із загальним емітером, характеризується вхідним диференціальним опором
,
яке в (1 +) разів більше вхідного диференціального опору для схеми з ПРО.
На рис, 3, б показана Т-подібна схема заміщення транзистора, перетворена для включення його за схемою з OЕ і відображає взаємозв'язок збільшень струмів і напруг на висновках транзис...
