Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Рівень власних шумів двох обраних приймачів випромінювання (фоторезисторів на основі PbSe і PbS)

Реферат Рівень власних шумів двох обраних приймачів випромінювання (фоторезисторів на основі PbSe і PbS)





гнальная не порушується.

Оцінимо шумові характеристики підсилювача. Для цього обчислимо фактор шуму за формулою:


(3.36)


Т.к. фактор шуму F=1,08, то схема підсилювача практично не шумить. Відношення сигнал/шум на виході підсилювача визначається наступним чином:


, (3.37)


Т.к. за умовою, то:


.2.2 Попередній підсилювач на операційному підсилювачі (ОУ)

Схема попереднього підсилювача на ОП зображена на рис.9.

З | 4 | по найменшому коефіцієнту шуму для R г=1,5 МОм вибираємо операційний підсилювач 140УД 8. Він має наступні параметри:

Коефіцієнт посилення До u=25? 10 березня;

Коефіцієнт ослаблення синфазного сигналу До о.с. =80 дБ;

Вхідний струм I вх=0,05 нА;

Різницевий вхідний струм I р=0,02 нА;

Споживаний струм I п=3 мА;

Діапазон напруги живлення DU п=15В.


Рис.9.


Розрахуємо елементи схеми попереднього підсилювача.

Опір резистора в ланцюзі зворотного зв'язку одно:


, (3.38)

де С=Спараз + Сос


Сос=10 пФ, Спараз=90 пФ; С=90 + 10=100 пФ.

У результаті:

МОм

Ємності конденсаторів ФВЧ рівні:


, (3.39)

де Гц.

7 Ом;


0.16 нФ


, (3.40)


де Rвих, ОУ" Rн, с ,, тому:


, (3.41)


Rн, з вибрали рівним 10 кОм, в результаті отримаємо:

нФ

Конденсатори Сф +, СФ вибираємо з номінальним значенням ємності 47 нФ і 68 нФ відповідно. Діоди VD1 і VD2 вибираємо типу КД 522. З ряду Е 24 вибираємо: Rос=0.18 МОм; Ср, 1=0.16 нФ; Ср, 2=25 нФ.

Еквівалентна схема попереднього підсилювача на ОП зображена на рис.10.


Рис.10


Вхідний струм схеми дорівнює:


Iвх=Uс/Rг (3.42)


Iвх=5.01? 10-3/1,5? 106=3.4 нА

Напруга сигналу на виході схеми:


Uс, вих=-Iвх? Zос, (3.43)

де, (3.44)


т.к. Rос" Xос, то Zос=Rос і сигнал на виході:


Uс, вих=-Iвх? Rос, (3.45)


Uс, вих=3.4? 10-9? 0.176? 106=0.598 мВ.

Напруга шуму генератора на виході передпідсилювача:


, (3.46)

де, (3.47)

Df=fв-fн.


В | 4 | відсутня експериментальна залежність шумового струму від частоти для підсилювача з польовим транзистором на вході 140УД 8. Це пояснюється тим, що шумовий струм такого підсилювача важко виміряти через його малого значення. Можна лише відзначити, що в діапазоні частот 10 Гц ... 100 кГц значення Iш, f підсилювача типу 140Уд 8 менше ніж 0,5? 10-5 нА/Гц.

З вище сказаного випливає, що в діапазоні частот

Df=9? 103-0,9? 103=0,81? 103 Гц значення Iш, f=0,5? 10-5 нА/Гц.

Тоді згідно з формулою (3.42) Iш, Df, ОУ=0,5? 10-5 нА/Гц.

З | 4 | залежність шумової напруги ОУ 140УД 8 від частоти приведено рис.11. З рис.11 визначимо Uш, Df, ОУ за формулою:


(3.48)


У даній формулі замінимо інтегрування на підсумовування з Df=900 Гц. Тоді в діапазоні частот від fн=0,9? 103 до fв=9? 103 Гц отримаємо формулу виду:


. (3.49)

Рис.11


Дані для розрахунку за формулою (3.44) наведені в табл.5.


Таблиця 5.

F, Гц? 10 березня U ш, f, нВ/ГцU 2 ш, f, нВ 2/Гц? 10 березня 1.3550.72.572.2550.62.563.1550.52.554.0550.42.544.9550.42.545.8550.42.546.7550.52.557.6550.62.568.5550.72.57Сумма:22.98

Підставляючи отримане значення в формулу (3.49) отримаємо:

4.547 мкВ

Визначимо напругу шуму генератора на виході передпідсилювача за формулою (3.46):

60.1мкВ.

Знайдемо відношення сигнал/шум на виході підсилювача на ОП:


N=Uс, вих/Uш, вих, (3.45)


в результаті отримуємо:

N=0.598? 10-3/60.1? 10-6=9,95


Висновок

приймач випромінювання фоторезистор підсилювач

У цій роботі розрахували рівень власних шумів двох обраних ПІ (фоторезисторів на основі PbSe і PbS). Отримали наступні значення:

Для PbSe:

У

У

Для PbS:

У

У

Кращий з цих двох ПІ - фоторезистор на основі PbS, тому він має мінімальний рівень власних шумів.

Для оптимального ПІ (PbS) визначили мінімальне значення потоку ІІ і освітленості на чутливій поаерхності ПІ в енергетичних і світлових величинах:

...


Назад | сторінка 7 з 8 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Розробка попереднього підсилювача сигналу датчика
  • Реферат на тему: Розробка схеми підсилювача низької частоти
  • Реферат на тему: Визначення параметрів нелінійності підсилювача апаратури ВЧ зв'язку по ...
  • Реферат на тему: Розробка гібридної інтегральної схеми підсилювача електричних сигналів низь ...
  • Реферат на тему: Проектування підсилювача електричних сигналів в заданому частотному діапазо ...