Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Оптимізація технологічних процесів росту монокристалів германію Ge Із завданні властівостямі

Реферат Оптимізація технологічних процесів росту монокристалів германію Ge Із завданні властівостямі





абороненої зони в Германії візначається Енергетичною щіліною в забороненій зоне между мінімумом у краю зони провідності в напрямі [111] и максимумом валентної зони в крапці [000].

Незважаючі на віщезазначені проблеми, дані розрахунки показали, что за відповідніх встановленного параметрах швідкості та частоти Обертаном 70% кристалу відповідають умові по розподілу концентрацій домішок (Мал. 2.6.).

Германій БУВ вітісненій кремнієм, за рахунок наявності Великої СИРОВИННОЇ БАЗИ. Альо Последний є Дешевше и КРАЩА як підкладочній материал у ВИРОБНИЦТВІ мікросхемо техніки. Альо вищє наведені Властивості германієвих монокристалів залішають его на провідному місці в опто - та НВЧ електротехніці.

Список використаної літератури


Назад | сторінка 7 з 7





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Технологія вирощування монокристалів германію на ФГУП "Германій"
  • Реферат на тему: Проблеми створення рублевої зони
  • Реферат на тему: Природо-Заповідний фонд Лісової Зони України, его структура та зонально-Рег ...
  • Реферат на тему: Технологія вирощування високих врожаїв озимого ячменю в умовах зони нестійк ...
  • Реферат на тему: Система захисту ярого ячменю від шкідників, хвороб і бур'янів в умовах ...