авісні компоненти рекомендується по можливості розташовувати рядами, паралельними сторонам плати;
3. НЕ допускається встановлення навісних компонентів на плівкові конденсатори, індуктивності;
4. НЕ допускаються різкі вигини і натягу дротяних провідників.
Таблиця 1.7 Конструктивно-технологічні обмеження ГІС
Зміст обмеження
Розмір обмеження, мм
Мінімально допустимий розмір резистора, мм
b
l
0,1
0,3
Мінімально допустимі відстані між плівковими елементами, розташованими в одному шарі
0,3
Максимально допустимі відстані між плівковими елементами, розташованими в різних шарах
0,2
Перекриття для поєднання плівкових елементів, розташовані в різних шарах
0,2
Мінімальна відстань від плівкових елементів до краю плати
0,5
Мінімальна ширина плівкових провідників
0,1
Мінімально допустима відстань між краєм плівкового резистора і краєм його контактної площадки
0,2
Мінімально допустима відстань:
між краями діелектрика і нижньої обкладки конденсатора
0,1
Між краями верхньої і нижньої обкладок конденсатора
0,2
Між краєм діелектрика і з'єднанням виведення конденсатора з іншим плівковим елементом
0,3
Між краєм діелектрика і нижньої обкладкою конденсатора в місці виведення верхньої обкладки
0,2
Від плівкового конденсатора до приклеюються навісних компонентів
0,5
Мінімальна площа перекриття обкладок конденсатора
0,5 * 0,5
Мінімальні відстані від краю навісного компонента, до:
Краї іншого компонента
0,4 ​​
Краї навісного пасивного компонента
0,6
Висновок
У ході розробки курсового проекту зроблено наступне:
1. вибраний матеріал для підкладки, резисторів і контактних майданчиків (вибір матеріалів був зроблено у відповідності з наведеними таблицями).
2. обрані конструкції елементів і наведений опис методики їх розрахунку;
3. розроблені ескізи конструкцій, наведені результати розрахунків топологічних розмірів елементів;
4. проведений розрахунок площі плати, обрана плати з таблиці типорозмірів плат ГІС.
У графічній частини наведені:
1. схема електрична принципова (формат А3);
2. топологічний креслення (формат А1);
3. топологічний креслення резистивного шару (формат А1);
У підсумку курсового проекту була складена документація, на закінчення якої були перераховані джерела використаної літератури.
Список використаних джерел
Коледов Л.А. Конструювання та технологія мікросхем: підручник.
М.: Вища школа, 1984.-231с. p> Миколаїв І.М. Інтегральні мікросхеми та основи їх проектування: підручник. М.: Радіо і зв'язок, 1992.-424с. p> Малишева І.А. Технологія виробництва інтегральних мікросхем: підручник М.: Радіо і зв'язок, 1991.-344с. br/>
