Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Проектування вихідного каскаду зв'язкового передавача з частотною модуляцією

Реферат Проектування вихідного каскаду зв'язкового передавача з частотною модуляцією





чення величин, отримуємо:

В 

4. Величина постійної складової колекторного струму визначається виразом (1.2.3) і не повинна перевищувати допустимої (I К 0 ДОП = 5,0 А):

(3.2.4)

коефіцієнт розкладання косинусоїдального імпульсу для постійної складової a 0 (q) дорівнює 0,319:

В 

5. Максимальний значення колекторного струму становить:

(3.2.5)

6. Величина максимальної споживаної потужності від джерела живлення дорівнює:

(3.2.6)

7. ККД колекторної ланцюга при номінальному навантаженні становить:

(3.2.7)

8. Максимальна розсіюється на колекторі потужність на колекторі транзистора наближено розраховується так:

(3.2.8)

де . - коефіцієнт неузгодженості вхідного опору навантаження, який в крайовому каскаді НЕ повинен бути нижче 0,5. p> 9. Номінальний опір колекторної навантаження визначається виразом:

(3.2.9)

Підставляючи чисельні значення в (3.2.9), отримуємо:

В 

Навантаженням нашого зв'язкового передавача є фідер з вхідним опором 75 Ом, тому після трансформації опору з коефіцієнтом Вј, тобто з більшого в меншу (див. розділ 4 РОЗРАХУНОК ЛАНЦЮГА УЗГОДЖЕННЯ) отримуємо, що R ке = 75/4 = 18,75 Ом. Оскільки отримане значення цього опору дуже близько до розрахованим значенням цього ж опору за формулою (3.2.9), то немає сенсу проводити корекцію проведених раніше розрахунків колекторної ланцюга. br/>

3.3. РОЗРАХУНОК БАЗОВОЇ ЛАНЦЮГА


Для транзисторів УВЧ і НВЧ істотну роль грають LC - елементи, які утворюються між кристалом і корпусом транзистора. При розрахунку вхідного ланцюга транзистора з ОЕ передбачається, що між базовою та іміттерним висновками транзистора по радіочастоті включений резистор R доп і R бк (див. рис. 3.3.1), опір якого становить:

(3.3.1)


(3.3.2)

Рис 3.3.1

Підставляючи чисельні значення в (3.3.1) і (3.3.2) отримуємо:

В В 

Далі розрахунок будемо вести відповідно до методики [5] стор 112 - 114.

1. Амплітуда струму бази визначається співвідношенням:

(3.3.3)

де коефіцієнт c дорівнює:

(3.3.4)

Підставляючи чисельні значення в (3.3.3) і (3.3.4) отримуємо:

В В 

2. Напруга зміщення на емітерний перехід при q = 90 В° знаходиться як:

(3.3.5)

Де Е отс = 0,7 В (для кремнієвого транзистора). p> Підставляючи чисельні значення в (3.3.5) отримуємо:

В 

3. Значення максимального зворотної напруги на емітерний перехід визначається формулою:

(3.3.6)

Підставляючи чисельні значення в (1.12) отримуємо:

В 

За результатами видно. що отримане значення не перевищує допустиме значення (U бе доп = 4 В). p> 4. Розрахуємо параметри еквівалентної схеми вхідного опору транзистора при включенні із загальним емітером:

(3.3.7)

При розрахунку вхідний індуктивності необхідно додати до L е ще 3 нГн з урахуванням погонной індуктивності з'єднувального провідника з кристалом, тоді отримаємо:

В 

(3.3.8)

При розрахунку r вх ое необхідно врахувати, що С ка = С до /2, а до L е також додається погонне індуктивність 3 нГн, після підставляння в (3.3.8) необхідних значень маємо:

В 

(3.3.9.)

після підстановки значень у (3.3.9), маємо:

В 

(3.3.10)

Підставляючи в (3.3.10) чисельні значення величин, отримуємо:

В 

5. Активна і реактивна складові комплексного вихідного опору транзистора обчислюються за формулами:

(3.3.11)

(3.3.12)

Підставляючи в (3.3.11), (3.3.12) чисельні значення величин, отримуємо значення вхідного опору транзистора на частоті 80 МГц:

В В 

Z ВХ = 2,535 + j 3,249 (Ом). (3.3.13)

6. Розрахунок вхідної потужності транзистора:

(3.3.14)

Після підстановки отримуємо:

Вт

7. Розрахунок коефіцієнта посилення по потужності транзистора

(3.3.15)

Після підстановки маємо:

В 

8. Визначення постійних складових базової і емітерного струмів:

(3.3.16)

Підставляючи чисельні значення величин в (3.3.16), отримуємо:

В 

Після виконання розрахунку вхідний (базової) і колекторної ланцюга транзистора (при найгірших умовах) видно, що в обраному режимі транзистор може забезпечити необхідну потужність 6 Вт на виході передавача з K p = 5,119, має при цьому досить високий ККД В»66,4%. p> Тепер визначимо потужність розсіюється в транзисторі, значення якої є вихідним параметром для розрахунку температури в структурі транзистора і системи його охолодження. (у даній роботі розрахунок цих температур не проводиться).

Р рас »Рдо max + Р вх = 4,572 + 1,465 = 6,037 Вт

У це сп...


Назад | сторінка 7 з 14 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Розрахунок коефіцієнта потужності випрямляча залежно від реактивного опору ...
  • Реферат на тему: Розрахунок параметрів кремнієвого інтегрального МДП-транзистора
  • Реферат на тему: Методи збільшення коефіцієнта посилення по струму біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок МДП-транзистора з індукованим каналом