чення величин, отримуємо: В  
 4. Величина постійної складової колекторного струму визначається виразом (1.2.3) і не повинна перевищувати допустимої (I К 0 ДОП = 5,0 А): 
  (3.2.4) 
  коефіцієнт розкладання косинусоїдального імпульсу для постійної складової a 0 (q) дорівнює 0,319: 
В  
 5. Максимальний значення колекторного струму становить: 
  (3.2.5) 
  6. Величина максимальної споживаної потужності від джерела живлення дорівнює: 
  (3.2.6) 
  7. ККД колекторної ланцюга при номінальному навантаженні становить: 
  (3.2.7) 
  8. Максимальна розсіюється на колекторі потужність на колекторі транзистора наближено розраховується так: 
  (3.2.8) 
  де . - коефіцієнт неузгодженості вхідного опору навантаження, який в крайовому каскаді НЕ повинен бути нижче 0,5. p> 9. Номінальний опір колекторної навантаження визначається виразом: 
  (3.2.9) 
  Підставляючи чисельні значення в (3.2.9), отримуємо: 
В  
 Навантаженням нашого зв'язкового передавача є фідер з вхідним опором 75 Ом, тому після трансформації опору з коефіцієнтом Вј, тобто з більшого в меншу (див. розділ 4 РОЗРАХУНОК ЛАНЦЮГА УЗГОДЖЕННЯ) отримуємо, що R ке = 75/4 = 18,75 Ом. Оскільки отримане значення цього опору дуже близько до розрахованим значенням цього ж опору за формулою (3.2.9), то немає сенсу проводити корекцію проведених раніше розрахунків колекторної ланцюга. br/> 
  3.3.   РОЗРАХУНОК БАЗОВОЇ ЛАНЦЮГА  
   Для транзисторів УВЧ і НВЧ істотну роль грають LC - елементи, які утворюються між кристалом і корпусом транзистора. При розрахунку вхідного ланцюга транзистора з ОЕ передбачається, що між базовою та іміттерним висновками транзистора по радіочастоті включений резистор R доп і R бк  (див. рис. 3.3.1),  опір якого становить: 
  (3.3.1) 
   (3.3.2) 
  Рис 3.3.1 
  Підставляючи чисельні значення в (3.3.1) і (3.3.2) отримуємо: 
В В  
 Далі розрахунок будемо вести відповідно до методики [5] стор 112 - 114. 
  1. Амплітуда струму бази визначається співвідношенням: 
  (3.3.3) 
  де коефіцієнт c дорівнює: 
  (3.3.4) 
  Підставляючи чисельні значення в (3.3.3) і (3.3.4) отримуємо: 
В В  
 2. Напруга зміщення на емітерний перехід при q = 90 В° знаходиться як: 
  (3.3.5) 
  Де Е отс = 0,7 В (для кремнієвого транзистора). p> Підставляючи чисельні значення в (3.3.5) отримуємо: 
				
				
				
				
			В  
 3. Значення максимального зворотної напруги на емітерний перехід визначається формулою: 
  (3.3.6) 
  Підставляючи чисельні значення в (1.12) отримуємо: 
В  
 За результатами видно. що отримане значення не перевищує допустиме значення (U бе доп = 4 В). p> 4. Розрахуємо параметри еквівалентної схеми вхідного опору транзистора при включенні із загальним емітером: 
  (3.3.7) 
  При розрахунку вхідний індуктивності необхідно додати до L е ще 3 нГн з урахуванням погонной індуктивності з'єднувального провідника з кристалом, тоді отримаємо: 
В  
 (3.3.8) 
  При розрахунку r вх ое необхідно врахувати, що С ка = С до /2, а до L е також додається погонне індуктивність 3 нГн, після підставляння в (3.3.8) необхідних значень маємо: 
В  
 (3.3.9.) 
  після підстановки значень у (3.3.9), маємо: 
В  
 (3.3.10) 
  Підставляючи в (3.3.10) чисельні значення величин, отримуємо: 
В  
 5. Активна і реактивна складові комплексного вихідного опору транзистора обчислюються за формулами: 
  (3.3.11) 
  (3.3.12) 
  Підставляючи в (3.3.11), (3.3.12) чисельні значення величин, отримуємо значення вхідного опору транзистора на частоті 80 МГц: 
В В  
 Z ВХ = 2,535 + j 3,249 (Ом). (3.3.13) 
  6. Розрахунок вхідної потужності транзистора: 
  (3.3.14) 
  Після підстановки отримуємо: 
  Вт 
  7. Розрахунок коефіцієнта посилення по потужності транзистора 
  (3.3.15) 
  Після підстановки маємо: 
В  
 8. Визначення постійних складових базової і емітерного струмів: 
  (3.3.16) 
  Підставляючи чисельні значення величин в (3.3.16), отримуємо: 
В  
 Після виконання розрахунку вхідний (базової) і колекторної ланцюга транзистора (при найгірших умовах) видно, що в обраному режимі транзистор може забезпечити необхідну потужність 6 Вт на виході передавача з K p = 5,119, має при цьому досить високий ККД В»66,4%. p> Тепер визначимо потужність розсіюється в транзисторі, значення якої є вихідним параметром для розрахунку температури в структурі транзистора і системи його охолодження. (у даній роботі розрахунок цих температур не проводиться). 
  Р рас »Рдо max + Р вх = 4,572 + 1,465 = 6,037 Вт 
  У це сп...