зони від зони провідності. Внаслідок чого кріві 2 і 3 на рис.3.1 можна пояснити перерозподілом електронів между зоною провідності (з більшою рухлівістю) i домішковою зоною (з малою рухлівістю). Кріві 2 і 3, побудовані в координатах ІпR х =f (1 / Т ), дають можлівість візначіті енергетичний зазор между домішковою зоною и зоною провідності. Так, при х= 0,02 Е 0 =0,013 еВ, при х= 0,03 е 0 - 0,034 еВ. Як Бачимо, при зростанні х енергетичний зазор между Вказаною зонами збільшується. Таким чином, поряд з Дуже мілкімі Донорний центрами з енергією актівації ~ 10-4еВ, провідність ТР візначається такоже глибокими рівнямі з E ~ 10-2еВ, что утворюють домішкову зону при сильному віродженні.
Як вже відмічалось, для всіх досліджуваніх зразків ТР застосовній крітерій сильного легування напівпровідніків. У таких Матеріалах внаслідок флуктуацій концентрації зарядженості домішок Густина Електрон станів НЕ перетворюється в нуль На межі дозволеного зон, а експоненціальне зменшується вглиб забороненої зони [9]. Глибина найбільш імовірніх потенціальніх ям ~ 40-50 МЕВ. Відомо, что Такі ями мают зв «язані Електронні стани, так что [2 / ( 2т п r < i> 2 )] - 1? 2 і тунелювання електронів под бар »єром мало імовірно. Можна Передбачити, что такий потенціальній рельєф не винних приводити до Зменшення оптічної ширини забороненої зони. Разом з тім, як буде показано розділі IV, мі спостерігалі поглинання фотонів з дефіцітом ЕНЕРГІЇ:= Е g - h ? > 0. В работе [56] це пов «язується з наявністю флуктуацій концентрації зарядженості домішок Меншем масштабом, Які дають більш мілке спотворення потенціального рельєфу на фоні Глибока потенціальніх ям. Велика відмінність ефективного мас електронів І дірок у ТР (? 50, ЯКЩО вважаті, что т р рівне ефектівній масі дірок чистого ІпSb) приводити до того , что цею більш мілкій потенціальній рельєф не якщо впліваті на Електрон, в тій годину як діркі з більшою ефективного масою могут мати зв »язані стани в мілкіх потенціальніх ямах. У цьом випадка Розподіл в просторі ЕНЕРГЕТИЧНИХ рівнів валентної зони повторює рельєф дрібномасштабного потенціалу, структура зони провідності при цьом залішається незмінною. Інакше Кажучи, така Ситуація приводити до того, что хвіст Густиня станів, что відповідає за поглинання квантів, менших за ширину забороненої зони, утворюється позбав біля валентної зони, а біля зони провідності его не якщо.
Одержані в цьом розділі результатами І зроблені на їх Основі Висновки будут вікорістані при інтерпретації результатів Дослідження оптичного поглинання в Зразки ТР.
1.3 Аналіз механізмів розсіяння
Електропровідність твердого тіла з концентрацією носіїв заряду п віражається відомою формулою
? = е?n ,
де ? - рухлівість носіїв заряду. Вона візначається розсіянням носіїв на порушеннях періодічності крісталічної ґраткі и при пружньо розсіянні в напівпровідніку з простою параболічною зоною рівна [1]:
? ~ Е r Т S
