(z-Tf)))/Kt - z * Ud)/(Tf-z) + Uv + 1/(Kt * (z-Tf));: ??= Ymax_ex;:=0; x=Xmax_ex then y:=Ymax_ex; x gt;=Xmax_ex then c0:=6;:=(Ymax + Ymin)/2;
Tf:=Tf;//зворотна функція для z:=Uv + y * Rd;// Зворотна функція для x
if x gt;=Xmax_ex then:=5 ;;; y gt;=Ymax_ex then:=3 ;;; y lt;=0 then:=1 ;;;:=Ln (y);:=A/(- Kt);:=B + z * Ud;:=z-Tf; D=0 then:=2 ;;;:=(C/D) + Ub; X0 gt;=Xmax_ex then:=4; ;; X0 gt; x then Ymax:=y else Ymin:=y; until (X0 + E gt; x) and (X0-E lt; x) ;; MidI_x02_01 (x, z, Tf, Ud, Kt, Uv, Rd: real; var y: real; var c0: integer) ;, Ymin, X0, E, Xmax_ex, Ymax_ex: real;, Uf: real;, B, C, D: real;:=0;:=0.000001; _ex:=1/(Rd * Kt * (z-Tf)); _ ex:=(Ln (1/(Rd * Kt * (z-Tf)))/Kt - z * Ud)/(Tf-z) + Uv + 1/(Kt * (z-Tf));: ??= exp (((Tf-z) * x + z * Ud) * Kt);:=Ymax_ex; x=Xmax_ex then y:=Ymax_ex; x gt;=Xmax_ex then c0:=6;:=(Ymax + Ymin)/2;
Tf:=Tf;//зворотна функція для z:=Uv + y * Rd;// Зворотна функція для x
if x gt;=Xmax_ex then:=5 ;;
end; y lt;=Ymax_ex then:=3 ;;; y lt;=0 then:=1 ;;;:=Ln (y);:=A/(- Kt); :=B + z * Ud;:=z-Tf; D=0 then:=2 ;;;:=(C/D) + Ub; X0 gt;=Xmax_ex then:=4 ;;; X0 gt; x then Ymin:=y else Ymax:=y; until (X0 + E gt; x) and (X0-E lt; x);
end;
У процесі дослідження експериментальних даних для вихідного струму (Ik) були отримані наступні коефіцієнти емісійного рівняння:
KT=0,112781 Вольт - 1? Кельвін - 1;
T F=631,905 Kельвін;
U D=0,238687Вольт;
Uv=1,045712 Вольт;
R D=- 1,1 Ом.
Для вхідного струму (Ib) кеффіціента емісійного рівняння були наступні:
KT=0,048085 Вольт - 1? Кельвін - 1;
T F=885,8322 Kельвін;
U D=0,416718Вольт;
Uv=1,25799 Вольт;
R D=- 190 Ом.
На малюнку 16. були побудовані графіки математичної моделі для вхідного і вихідного струму.
Рис. 16. Графіки математичної моделі вхідного і вихідного струму для транзистора КТ312В, побудовані в напівлогарифмічному масштабі.
Для схем дослідження потоку тепла (ІПТ) емісійне рівняння може бути застосовано до біполярним транзисторам, що ми і показали своїм досвідом.
Виняток становить область малих струмів бази: там де струм може поміняти свій напрямок і стати негативним. Також представляє трудність застосовувати емісійне рівняння для низькоомних PN-переходів. До них можуть бути віднесені деякі діоди Шотткі, германієві діоди. Характеристики таких діодів недостатньо лінійні через їх терморезистивних властивостей. Зазвичай неможливо досліджувати й потужні транзистори через їх складних конструктивних рішень: коли потужний транзистор складається з декількох паралельно з'єднаних малопотужних транзисторів. Найбільш відповідними для дослідження є малопотужні кремнієві транзистори.
Рис. 17. Збіг графіків експериментальних даних і математичної моделі вхідного і вихідного струму для транзистора КТ312В, побудовані в напівлогарифмічному масштабі.
Висновки
1. Явище позитивного зворотного зв'язку в вольт-амперних характеристиках транзистора дозволяє пояснити ефект Кірка і ефект Ерлі.
. Явище позитивного зворотного зв'язку в вольт-амперних характеристиках транзистора доводить неспроможність теорії електронно-доречний провідності, яка не може пояснити явища, що відбуваються в біполярному транзисторі.
. Явище позитивного зворотного зв'язку в вольт-амперних характеристиках транзистора здійснюється згідно емісійному рівнянню, і доводить застосовність цього рівняння для опису термоелектричних процесів в електронних приладах.
. На основі рівняння для ПОС можна розробити математичну модель роботи транзистора. Модель буде працювати на основі законів фізики.
Література
Ямпурін Н.П .: Основи надійності електронних засобів.- М .: Академія, 2010
Під ред. А.А. Орліковського; Рец .: А.Ф. Александров, А.А. Горбацевич: Наноелектроніка.- М .: МГТУ ім. Н.Е. Баумана, 2009
Під ред .: А.А. Кураєва, Д.І. Трубецького; А.В. Аксенчік та ін .: Методи нелінійної динаміки і теорії хаосу в задачах електроніки надвисоких частот.- М .: ФИЗМАТЛИТ, 2009
Шишкін Г.Г .: Електроніка.- М .: Дрофа, 2009
А.Н. Діденко та ін.; Под ред. І.Б. Федорова: Вакуумна електроніка.- М .: МГТУ ім. Н.Е. Баумана, 2008
Лебедєв О.І .: Фізика напівпровідникових приладів.- М .: Физматлит, 2008
Шматько А.А .: Електронно-хвильові системи мі...
