p align="justify"> Резонансні підсилювачі напруги високої частоти. Резонансні підсилювачі напруги широко використовуються як підсилювачі високої частоти радіоприймачів, до яких пред'являються наступні основні вимоги: великий коефіцієнт посилення по напрузі; висока добротність АЧХ на частоті корисного сигналу.
Для виділення корисного сигналу високої частоти в резонансному підсилювачі використовуються резонансні властивості паралельного коливального контуру, включеного в ланцюг навантаження (рис 10). Частотна характеристика такого каскаду визначається властивостями контуру і шунтирующими його опорами активного елемента і навантаження
Шунтування зменшує добротність контуру, тому вибірковість такого підсилювача нижче вибірковості вхідного в схему контуру. При цьому коефіцієнт посилення дорівнює
,
де - крутизна характеристики активного елементу, а - еквівалентний опір включеного в схему контуру, пов'язане з опором самого контуру співвідношенням
.
Основна перевага резонансних підсилювачів - можливість перебудови частоти максимального посилення за допомогою конденсатора змінної ємності.
Істотно кращу вибірковість можна отримати за допомогою смугових підсилювачів, які, як правило, працюють на фіксованих частотах і не перебудовуються. У навантаження активного елементу смугового підсилювача замість одиночного контуру включають систему зв'язаних контурів. В процесі настройки підсилювача можуть змінюватися як резонансні частоти пов'язаних контурів, так і коефіцієнт зв'язку, що відкриває широкі можливості для формування частотної характеристики (необхідної широкополосности і вибірковості). В окремих випадках потрібну частотну характеристику отримують, застосовуючи кілька каскадів з засмученими один щодо одного контурами.
Література
Під ред .: А.А. Кураєва, Д.І. Трубецького; А.В. Аксенчік та ін .: Методи нелінійної динаміки і теорії хаосу в задачах електроніки надвисоких частот.- М .: ФИЗМАТЛИТ, 2009
Шишкін Г.Г .: Електроніка.- М .: Дрофа, 2009
А.Н. Діденко та ін.; Под ред. І.Б. Федорова: Вакуумна електроніка.- М .: МГТУ ім. Н.Е. Баумана, 2008
Лебедєв О.І .: Фізика напівпровідникових приладів.- М .: Физматлит, 2008
Шматько А.А .: Електронно-хвильові системи мілліметрвого діапазону.- Харків: ХНУ ім. В.Н. Каразіна, 2008
Московський держ. ін-т сталі і сплавів, Саратовський держ. ун-т ім. Н.Г. Чернишевського; під ред. Л.В. Кожітова: Обладнання, технології та аналітичні системи для матеріалознавства, мікро- та наноелектроніки.- М .: МІСіС, 2007
Федеральне агентство з освіти, Московський держ. ін-т сталі і сплавів (Технологічний ун-т), Саратовський держ. ун-т ім. Н.Г. Чернишевського; під ред. Л.В. Кожітова; авт-упоряд .: В.П. Менушенков та ін .: Обладнання, технології та аналітичні системи для матеріалознавства, мікро- та наноелектроніки.- М .: МІСіС, 2007
Філачёв А.М .: Твердотельная фотоелектроніка.- М .: Физматлит, 2007
Захвалінскій В.С .: Електроніка.- Білгород: БелГУ, +2006
Смолик А.А .: Наноматеріали.- Білгород: БГТУ, +2006
Смолик А.А .: Наноматеріали.- Білгород: БелГУ, +2006
