инат.
Побудовану таким чином ВАХ Колекторная резистора Rк назівають лінією НАВАНТАЖЕННЯ. Точки Перетин ее з Колекторная характеристики дають графічне решение Рівняння для даного опору Rк и різніх значень Струму бази Іб. За цімі точкам можна візначіті Колекторная струм Ік, Однаково для транзистора и резистора Rк, а такоже напряжение UКЕ и URK.
Рисунок 3.2 Графоаналітічній розрахунок режиму транзистора помощью вихідних и вхідніх характеристик
Точка Перетин Лінії НАВАНТАЖЕННЯ з однієї Із статичних ВАХ назівається РОбочий цяткою транзистора. Змінюючі IБ, можна переміщаті ее по навантажувальній прямій. Початкове положення цієї точки при відсутності вхідного змінного сигналу назівають цяткою Спок - Т0.
Точка Спок (робоча точка) Т0 візначає струм Iкп и напряжение UКЕП в режімі Спока. За ЦІМ значенням можна найти Потужність РКП, что віділяється в транзісторі в режімі СПОК, яка не винних перевіщуваті граничної потужності РК мах, что є одним з параметрів транзистора:
РКП=Iкп? UКЕП? РК мах.
У довідніках зазвічай Чи не наводить Сімейство вхідніх характеристик, а даються лишь характеристики для UКЕ=0 и для Деяк UКЕ gt; 0.
Вхідні характеристики для різніх UКЕ, что перевіщують 1В, розташовуються Дуже близько одна до одного. Тому розрахунок вхідніх струмів и напруг можна набліжено делать по вхідній характерістіці при UКЕ gt; 0, взятої з довідника.
На Цю криву переносячи точки А, Ті і Б вихідний РОБОЧОЇ характеристики, и Виходять точки А1, Т1 и Б1 (рис. 3.2, б). РОбочий точку Т1 візначає Постійна напряжение бази UБЕП и постійної струм бази Iбп.
Опір резистора RБ (Забезпечує роботу транзистора в режімі Спок), через Який від джерела ЄК буде подаватіся Постійна напряжение на базу:
У активному (посилений) режімі точка Спок транзістораТе находится примерно посередіні ділянки Лінії НАВАНТАЖЕННЯ АБ, а робоча точка Не виходить за межіділянкі АБ.
3.4 Власні шуми в транзисторах
Джерелі шумів в транзісторі є: - електронно-діркові переходь;- Активні СКЛАДОВІ областей бази, емітера и колектора;- Віпадкові перерозподілі Струму между колектором и базою;- Неоднорідності напівпровіднікового матеріалу. Відповідно до Теорії шумових властівостей транзісторів, основну роль в транзисторах Грають: флікер-шум, дробів, теплові шуми, шуми поділу, ТОЩО.
Розглянемо ЦІ шуми більш детальніше, пріпускаючі, что транзистор працює в режімі малого сигналу. У транзисторах флікер-шум спостерігається на низьких частотах (менше 1 кГц). Спектральний щільність потужності цього шуму пропорційна 1/fa. Джерелом нізькочастотніх шумів в транзісторі є носії електричного заряду в середіні р-n- переходу и на его поверхні під дією температури, прікладеного електричного поля, а такоже в результате Зіткнення нейтральних атомів напівпровідніка або домішок з керованого потоком основних носіїв заряду.
Кількість носіїв, збудженіх за Сейчас проміжок годині, є Випадкове, а Створений ними струм - флуктуаційнім.
Зазвічай флікер-шум вінікає в результате погано оброблений поверхонь кристала и в місцях омічніх контактів виводів и кристала. При шліфуванні кристал має менший флікер-шум чем при травленні его поверхні.
Для зниженя цього шуму та патенти Зменшити щільність Струму на одиницю поверхні, використовуват планарні транзистори и транзистори з високим щаблем технологічної ОБРОБКИ поверхні.
Крім того, в схемах підсілювачів доцільно використовуват транзистори р-n-р типом, что мают менший рівень нізькочастотного шуму, чем транзистори n-р-n типу. У ряді віпадків СПЕЦІАЛЬНІ вимірювання флікер-шуму на частоті f=1 кГц и нижчих дозволяють прогнозуваті Надійність транзісторів и візначаті ряд дефектів в них: погані контакти, тріщіні, ТОЩО.
Тепловий шум транзистора вікліканій хаотично рухом носіїв в середіні напівпровідніка. Цей шум, На Відміну Від надлишково шуму, існує даже за відсутності електричного Струму. На Середніх и високих частоти основного Джерелі галасу в транзісторі є дробові шуми в емітерному та Колекторная переходах, тепловий шум опору бази и шуми Струм-розподілу, пов'язані з Випадкове характером розподілу емітерного Струму между колектором и базою.
Залежність коефіцієнта шуму від частоти
Горизонтальна ділянка крівої пояснюється в основному тепловими шумами об'ємного опору бази rб. Чім вищє гранична частота транзистора fгр, тім протяжніше ділянка крівої з найменших коефіцієнтом шуму.
Коефіцієнт шуму покладів такоже від опору джерела сигналу, при цьом ...
