Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Арсенід індію. Властивості, застосування. Особливості отримання епітаксійних плівок

Реферат Арсенід індію. Властивості, застосування. Особливості отримання епітаксійних плівок





.Обзори з електронної техніки: Молекулярно-променева епітаксії (особливості технології та властивості плівок)/Денисов А. Г., Садофьев Ю. Г., Сенічкін А. П. М., 1980. Вип. 14 (762). Сер. 7, "Технологія, організація виробництва та обладнання ". 76 с. br/>

12.Олсен Г. Х., Еттенберг М. Особливості отримання гетероепітаксійних структур типу А III B V . - В кн. Зростання кристалів. М.: Мир, 1981, с. 9-77. br/>

13.Крессел Г., Нельсон Г. Властивості та застосування плівок з'єднань елементів груп III і V, отриманих епітаксії з рідкої фази. - У кн.: Фізика тонких плівок. М.: Мир, 1977, т. 7, с. 58-63. br/>

14.Wieder H. H. Transport coefficients of InAs epilayers.-Appl. Phys. Lett., 1974, v. 25, N 4, p. 206-208. br/>

15.Mc Carthy J. P. Preparation and properties of epitaxial InAs. - Solid-State Electron, 1967, v. 10, N 7, p. 649-655. br/>

16.Ісследованіе початкових стадій росту, структурних і електрофізичних властивостей гетероепітаксійних шарів InAs на GaAs/Стрельченко С. С., Захаров Б. Г., Гурфінкель В. І. та ін - В кн.: Зростання і легування напівпровідникових кристалів і плівок. Новосибірськ: Наука, 1977, ч. 2, с. 98-106. br/>

17.Molecular beat epitaxial growth of InAs/Yano M., Nogami M., Matsuchima Y., Kimata M. - Japan. J. Appl. Phys., 1977, v. 16, N 12, p. 2131-2137. br/>

18.Маделунг О. Фізика напівпровідникових сполук елементів III і V груп/Пер. з англ. під ред. Б. І. Болтаксаю М.: Мир, 1967. 477 с. br/>

19.Горюнова Н. А. Складні алмазоподібні напівпровідники. М.: Радянське радіо, 1968. 267 с. p> 20.Хілсум К., Роуз-Інс А. Полупроволнікі типу А 3 У 5 /Пер. з англ. М.: ІЛ, 1963.324 с. p> 21.Разуваев Г.А., Грибов Б.Г., Домрачев Г.А., Саламатін Б.А. Металоорганічні з'єднання. М.: Наука, 1972. 479 с. p> 22.Гідріди, галіда, МОС особливої вЂ‹вЂ‹чистоти. М.: Наука, 1976.143 с. p> 23.Осажденіе плівок і покриттів розкладанням МОС. М.: Наука, 1981. 322 с. p> 24.Актівіруемие процеси технології мікроелектроніки: Міжвузівський тематичний науковий збірник. Вип. 1. Таганрог, 1975. p> 25.Корзо В.Ф. та ін Плівки з елементорганічних сполук в радіоелектроніці. М.: Енергія, 1973. br/>


Назад | сторінка 8 з 8





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Технологія отримання та фізичні властивості тонких плівок
  • Реферат на тему: Оптичні властивості напівпровідникових плівок у видимій та ІЧ частинах спек ...
  • Реферат на тему: Методи Отримання та Властивості метал-фулеренових плівок
  • Реферат на тему: Ступінь окислення. Вплив методів отримання плівок SiO2 на їх властивості
  • Реферат на тему: Дослідження впливу параметрів MOCVD-осадження на структуру, електричні і ма ...