Реферат Привід ланки промислового робота (колона)

> Від перерахованих вище недоліків вільна двохтактна схема генератора. У відмінності від однотактового в двотактному генераторі можна отримувати більше прямокутні імпульси струму і отже, забезпечити більш високий ККД, більшу постійність вихідної напруги. Найбільше поширення на практиці отримала схема перетворювача з загальним емітером, що дозволяє при малих напруги джерела живлення отримати високий ККД. Таким чином вибираємо двотактний перетворювач зібраний за схемою з загальним емітером. В  3.2 Опис роботи перетворювача В  До складу двотактного перетворювача (рисунок 2.0) входять два транзистора типу pn-р або n-р-n, трансформатор і два стабілітрона. Для забезпечення запуску перетворювача служить резистор R1. На резистори R1 створюється падіння напруги близько 0,5-1,0 В, яке мінусом прикладається до бази, сприяючи тим самим отпиранию транзисторів. Як тільки буде подана напруга первинного джерела живлення Un, через транзистори піде струм Ік. За розкиду параметрів транзисторів величина струму через них може бути неоднакова. Це призведе до того, що магнітний потік, що виникає в первинної обмотці I 'збільшиться. Завдяки цьому наводимая е.р.с. в інших обмотках I'', II 'і II'' матиме полярність зазначену на схемі. Як видно зі схеми, на базі першого транзистора з'являється негативна напруга щодо емітера, а на базі транзистора-два позитивне. Отже, VT1 буде відкритий, а VT2 закритий. Транзистор VT1 буде відкритий. До тих пір, поки в обмотці I 'наводиться е.д.с-., Тобто змінюється магнітний потік. Ця зміна буде відбуватися доти, поки колекторний струм VT1 змінюється до струму насичення або магнітний потік в осерді не досягне насичення. Як тільки колекторний струм VT1 або магнітний потік в осерді досягне насичення, швидкість зміни магнітного потоку стане рівною нулю, що призведе до зменшення до нуля наводимой в обмотці е.р.с., що в свою чергу призведе до зменшення струму I K1 . Зменшення струму I K1 призводить до появи в обмотках трансформатора е.д.с ., протилежної за знаком попереднього стану (вказаному на схемі в дужках). В результаті VT2 відкриється, a VT1 закриється. Надалі процес періодично повторюється. З метою захисту транзисторів від пробою їх шунтируют стабілітронами з напругою стабілізації, рівним 2Un. При наростанні напруги через індуктивності розсіювання в момент замикання транзистора пробивається один з шунтуючих стабілітронів VD1 або VD2, оберігаючи тим самим транзистор від пробою.

Назад | сторінка 8 з 21 | Наступна сторінка