вх )] від величини струму I . Струм насичення можна взяти рівним I 0 = 1мкА.
) Обчисліть ємність і товщину збідненого шару при зворотному напрузі зсуву U обр , якщо зміна щільності заряду по обидві сторони різкого pn-переходу являє собою ступінчасту функцію, тобто N a > N d .
Прийняти ? s = 16, А = 10 -6 м 2 .
Рішення:
) Диференціальний опір діода як функція I i змінюється в таких межах:
В
2) Залежність ослаблення сигналу по напрузі від величини струму I можна розглянути у вигляді таблиці 1 і графіка (рісунок. 4).
Таблиця 2 - Залежність ослаблення сигналу по напрузі від струму
I, МА0, 050,10,150,20,250,30,350,40,450,520 lg ( U вих < i align = "justify">/U вх ) 21,515,511,99,47,55,94,63,42,41 , 5
В
Рисунок 4 - Графік залежності ослаблення сигналу по напрузі від величини струму
) Знаходимо величину бар'єрної ємності за формулою (11), а товщину збідненого шару за формулою (12). Для початку знайдемо ? 0 за формулою (5):
В В
За формулою (13):
В В
4) Енергетична діаграма р-n- переходу при наявності зворотного напруги:
В В
Рисунок 5 - Енергетична діаграма р-n- переходу при наявності зворотної напруги
Завдання № 3
Вихідні дані:
Величина максимального електричного поля в переході;
Різниця температур;
Концентрація носіїв.
1) Визначити у скільки разів збільшується зворотний струм насичення р-п-переходу, якщо температ...
