ура збільшується:
- від до для германиевого діода;
від до для кремнієвого діода.
pn- перехід виготовлений з легованого германію з концентрацією акцепторної і донорної домішок відповідно N a і N < i> d .
) Визначте товщину збідненого шару, якщо при зворотному зміщенні величина максимального електричного поля в переході дорівнює ? m .
3) Розрахувати і побудувати енергетичну діаграму р-n- переходу в рівноважному стані, а також при напрузі, відповідному величині ? m .
Рішення:
1) Використовуючи формулу (9) складемо відношення струмів:
Для германиевого діода
В
Для кремнієвого діода
В
Отже, зворотний струм насичення р-n- переходу збільшується в 1,49 і 1,37 рази для германиевого і кремнієвого діода відповідно.
2) Товщину збідненого шару знаходимо за допомогою формули (17):
В
3) Енергетична діаграма р-п - ​​переходу в рівноважному стані співпадає з енергетичної діаграмою з завдання № 1 (малюнок 1.а), при цьому:
Для стану рівноваги величина викривлення меж зон:
В
В
Малюнок 6 - Енергетична діаграма р-n- переходу в стані рівноваги
Завдання № 4
pn- перехід формується шляхом дифузії бору в кремній n < span align = "justify">-типу.
Вихідні дані:
Питомий опір;
Концентрація бору на поверхні дорівнює;
Відомо, що на глибині від поверхні концентрація бору зменшується в е разів;
Площа поперечного перерізу р-n- переходу;
Зворотне зміщення;
Пряме напруга;
Величина максимального електричного поля перехід.
Визначити:
) Концентрацію основних і неосновних носіїв заряду;
) Ширину р-n- переходу;
) Бар'єрну ємність р-n- переходу;
) Струм діода при прямому напрузі U пр , В;
) Напруга пробою, припускаючи, що він наступає при напруженості поля ? m , В/м;
Рішення:
) Концентрація основних носіїв заряду (в даному випадку електронів) розраховується за формулою (4):
В
Концентрацію ...
