льному розмірі структури, що перевищує кілька мікрон, а також при високому аспектном співвідношенні. Деякі топографічні особливості поверхні, наприклад, форма сходинки або неоднорідності, порівнянної з розміром зонда будуть згладжені (заокруглені) на вихідному зображенні. Застосування зондів з малим радіусом заокруглення не завжди дозволяє точно відобразити поверхню пластичного об'єкта, так як потрібна тривала і копітка робота з вибору режимів вимірювань. Використання методів конфокальної мікроскопії дозволяє поліпшити латеральну роздільну здатність мікроскопів приблизно на 20% порівняно із звичайними мікроскопами. Істотним у конфокальної мікроскопії є обмеження, пов'язане з тим, що аксіальне і латеральне дозвіл залежить від об'єктива. Найменше теоретичне значення латерального дозволу становить близько 300 нм, а аксіальне - порядку 700 нм для довжини хвилі 550 нм для об'єктива з числовий апертурою 0,9. Лише при використанні джерел УФ-випромінювання можна домогтися більш високого дозволу, але при вимірюванні полімерів це не дає результату, тому що полімерні матеріали значно розсіюють і поглинають в ультрафіолетовій області. Тривимірні реконструкції зображень методом комбінування двомірних зображень на різних глибинах, можна отримати завдяки використанню конфокальної мікроскопії. Це дає можливість визначити розміри бульбашок, товщини плівки і ін дефектів у МФУ. Варіанти функціонального тестування МФУ можливо при застосуванні флуоресцентних барвників для візуалізації руху потоків рідини в каналах.
Одним з методів мікроскопії з високою роздільною здатністю, існуючий порядку декількох десятків років, є скануюча електронна мікроскопія (СЕМ). Її принцип роботи полягає в тому, що зразок сканується електронним пучком, причому ефекти, отримані в результаті взаємодії між поверхнею зразка і пучком, можуть бути використовуватися для характеристики хімічних і фізичних властивостей досліджуваного зразка. СЕМ проявляє унікальні властивості і в топографії, що не спостерігаються ні в одній іншій мікроскопії. До цих властивостей відносять максимальне збільшення з роздільною здатністю до 2 нанометрів, можливість зміни збільшення в широких межах (100 х -100.000 х ), велике робоче відстань і глибина різкості, мінімальні ефекти дифракції і можливість елементного аналізу [7]. У методу СЕМ є й недоліки: відносно повільна швидкість вимірювань, необхідність використання зразків з провідних матеріалів або спеціального покриття поверхні зразка провідним матеріалом (золотом), обмеження при вимірюванні діелектричних зразків і необхідність у високому вакуумі для здійснення вимірювань. Методи СЕМ можуть бути використані для якісного аналізу рельєфу поверхні, тому що візуалізація з високою роздільною здатністю досягається за рахунок високої глибини різкості цього методу. По суті СЕМ-зображення є дв...