ify"> ЗІ , В1, 51,41,31,21,110,90,8 I C , МА0, 0000000,0000030,0000120,0000260,0000460,0000720,0001040,000142 U ЗІ , В0, 70,60,50,40,30 , 20,1 I C , МА0, 0001850,0002340,0002890 , 0003500,0004160,0004880,000566 В
Крутизну передавальної характеристики знаходимо, підставивши у вираз формулу
В
На ділянці насичення в залежності від струму стоку отримуємо
I C , мА00, 020,050,10,150,20,250,3 S, мА/В 00,1520190,2403620,3399240,416320,4807250,5374670,588765 I C , МА0, 350,40,450,50,550,60,650,7 S, мА/ В0, 6359390,6798480,7210870,7600930,7971920,832640,8666390,899354
В
Переймаючись напругою на затворі, знаходимо напруга насичення між стоком і стоком за допомогою виразу
В
U ЗІ , В1, 51,41,31,21,110,90,8 U СІ нас В00, 10,20,30,40,50,60,7 U ЗІ , В0, 70,60,50,40,30,20 , 10,7 U СІ нас В0, 80,911,11,21 , 31,40,8
В
Висновок
В результаті проведених розрахунків основних електричних параметрів польового транзистора були отримані наступні результати:
Опір повністю відкритого каналу RСІ отк, Напруга відсічення UЗИ отс, ємність затвора СЗІ, максимальну частоту роботи польового транзистора, визначена передавальна характеристика та пов'язані з нею параметри: початковий струм стоку I C поч, напруга насичення UCІ нас, крутизна характеристики передачі, намальовані діаграми.
Список літератури
1. Денискин Ю.Д., Жигарев А.А., Смирнов Л.П. Електронні прилади. М.: Енергія, 1980.
2. Єфімов І.Є., Козир І.Я., Горбунов Ю.І. Мікроелектроніка. М.: Вища школа, 1987.
. Морозова І. Г.
. Фізика електронних приладів. М.: Атомиздат, 1980.
. Пасинків В.В., Чиркин Л. ...
