Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » RAM-диск на SDRAM пам'яті під керуванням мікроконтролера

Реферат RAM-диск на SDRAM пам'яті під керуванням мікроконтролера





я і запису (burst length) може програмуватися (1, 2, 4, 8 або 256 елементів), цикл може бути перерваний спеціальною командою (без втрати даних) Затримка даних (кількість тактів) щодо команди читання (read latency) програмується для оптимального узгодження швидкодії пам'яті з частотою системної шини. Конвеєрна адресація дозволяє ініціювати черговий цикл звернення до завершення попереднього. Автоматична регенерація (цикл CBR) виконується по командах В«Auto RefreshВ» (REFR), для збереження інформації потрібне виконання команд REFR з періодом 15,6 мкс (стандартна регенерація, 4096 команд за 64 мс) Існують і модифікації з зниженою частотою регенерації (extended refresh ) За командою В«Self RefreshВ» (SLFR) пам'ять переходить в режим саморегенерації, якої не потрібно ніяких зовнішніх звернень. У цьому режимі операції читання і запису заборонені. Можливий також і переведення у режим зберігання зі зниженим споживанням, при якому відключається живлення зовнішніх буферів. На рис. 3.5 наведені тимчасові діаграми пакетних циклів запису і читання синхронної пам'яті. Всі вхідні сигнали вважаються дійсними під час позитивного перепаду тактового сигналу CLK. Поточна команда визначається комбінацією сигналів на керуючих входах RAS #, CAS #, WE #, A11 і А10 при низькому рівні CS #. Набір команд включає наступні:

MRS (Mode Register Set) - програмування параметрів. ACTV x (Bank activate/row-address entry) - активація банку і введення адреси рядка, х - внутрішній банк: Т (Тор) - В«верхнійВ», В (Bottom) - В« нижній В». WRT х (Column-address entry/write operation) - команда запису і введення адреси стовпця. В В 

Малюнок 3.5 Тимчасові діаграми пакетних циклів SDRAM: А і В - дані для запису за адресою R0/C0 і R0/C0 +1, С і D - дані, лічені за адресою R0/C1 і R0/C1 +1
READ х (Column-address entry/read operation) - команда читання і введення адреси стовпця; DEACx (Bank deactivate) - деактивація банку, предзаряда (precharge) RAS; REFR (Auto-refresh), NOOP (No Operations), STOP і DESL (Deselect) - допоміжні команди; SLFR (Self-refresh), PDE (Power-down entry), HOLD - команди саморегенерації та енергозбереження, що вводяться за допомогою сигналу СКЕ. MASK, ENBL - команди дозволу операцій з байтами для - кожного такту пакетного циклу, що вводяться сигналами DQMx.

Внутрішній лічильник адреси працює за модулем, рівному запрограмованої довжині пакетного циклу (наприклад, при burst length = 4 він не дозволяє перейти кордон звичайного чотириелементних пакетного циклу).

Унаслідок істотної відмінності інтерфейсу мікросхеми SDRAM не можуть бути в...


Назад | сторінка 8 з 14 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Способи запису інформації на вінчестер, головки читання-запису
  • Реферат на тему: Пристрій запису і читання даних з Flash-пам'яті
  • Реферат на тему: Зйомка відеофільму формату S-VHS при запису звуку на жорсткий диск
  • Реферат на тему: Особливості запису сигналів зображення
  • Реферат на тему: Розрахунок пристрою запису, зберігання та передачі чисел