алентні діоди з'єднані катодами, а для npn транзисторів - анодами. Перевірка транзистора омметром зводиться до перевірки обох р-n переходів транзистора: колектор - база і емітер - база. Для перевірки прямого опору переходів pn-р транзистора мінусовій висновок омметра підключається до бази, а плюсової висновок омметра - по черзі до колектора і емітера. Для перевірки зворотного опору переходів до бази підключається плюсової висновок омметра. p align="justify"> При перевірці npn транзисторів підключення проводиться навпаки: пряме опір вимірюється при з'єднанні з базою плюсового виведення омметра, а зворотне опір при з'єднанні з базою мінусового виведення. При пробої переходу його пряме і зворотне опору виявляються рівними нулю. При обриві переходу його пряме опір нескінченно велике. У справних малопотужних транзисторів зворотні опору переходів у багато разів більше їх прямих опорів. У потужних транзисторів це відношення не настільки велике, проте, омметр дозволяє їх розрізнити. . p align="justify"> Підбір замінюють транзисторів складний через великого числа параметрів, за якими він проводиться. Схема аналізу можливих варіантів така:
По-перше, вибирається транзистор з аналогічною структурою (pn-р або npn провідності).
друге, проводять оцінку діючих у вузлах пристрою струмів і напруг. Максимально допустима напруга колектор-емітер транзистора повинно бути більше, ніж максимальна (з урахуванням змінної складової) напруга, що діє на цій ділянці. p align="justify"> Основними параметрами транзисторів, що враховуються при заміні є - максимально допустимі напруга колектор-емітер, струм колектора, розсіює потужність колектора, а також статичний коефіцієнт передачі струму (у схемі із загальним емітером). Вибирати замінює транзистор випливає з того ж класу, що і замінний (малопотужний, високочастотний і т. д.), і з такими ж або кілька кращими параметрами. p align="justify"> Розшифровка типів транзисторів застосовуються в схемі модуля кадрової розгортки МКР: КТ315Б
К - кремінний; Т - біполярний транзистор; 3 - малої потужності і максимальної робочої частотою більше 30МГц; 15 - порядковий номер розробки; Ж - параметричний тип.
Всі інші транзистори в переліку елементів за типом аналогічні даним, відрізнятися будуть тільки призначення приладу, порядковий номер розробки і параметричний тип.
2.3 Розрахунок параметрів елементів підлягають заміні
При діагностиці модуля кадрової розгортки МКР виявлена ​​несправність, при якій відсутній режим посилення каскаду по постійному струму, і необхідна перевірка і заміна радіоелементів. Тому для уточнення параметрів елементів зроблений розрахунок підсилювального каскаду виконаного з резисторів R5, R4 і транзистора VT1. p align="justify"> Розрахунок підсилювального каскаду виконаного з дільника напруги R5, R4 і транзистора VT1.
