align=top>
C3
К10-17-2б-Н50-0, 01 мкФ В± 10%-5-В
1
С4
К10-17-2б-М75-470 пФ В± 10%-5-В
1
C5
К10-17-2б-Н50-0, 1 мкФ В± 10%-5-В
1
С6
К50-35-47 мкФ В± 10%-10-В
1
C7
К10-17-2б-Н50-0, 33 мкФ В± 10%-5-В
1
C8
К10-17-2б-Н50-0, 1 мкФ В± 10%-5-В
1
C9
К50-35-220 мкФ В± 10%-10-В
1
C10
К50-35-10 мкФ В± 10%-10-В
1
C11
К50-35-33 мкФ В± 10%-10-В
1
C12 ... С14
К10-17 -1 мкФ В± 10%-16-В
3
C15, С16
К10-17-2б-Н50-0, 1 мкФ В± 10%-5-В
2
C17, С18
К10-17-2б-П33-15 пФ В± 10%-5-В
2
C19
К10-17-2б-Н50-0, 1 мкФ В± 10%-5-В
1
мікросхеми
DA1
MPXV5050GP
1
DA2
RSO-0505S
1
DA3
LM324ADR2G
1
DD1
C8051F340
1
Silabs
DD2
DS12887A
1
Dallas Sem.
DD3
MAX811
1
Maxim
DD4
1554ЛА3
1
DD5
BC2004B1
1
Bolymin
DD6
DS1820
1
Dallas Sem.
резистор С2-23 ОЖ0.467.104ТУ
R1
C2-23-0 ,125-24 кОм В± 5%-А-В-В
1
R2
C2-23-0 ,125-5, 1 кОм В± 5%-А-В-В
1
R3
C2...