имальна швидкість наростання вихідної напруги при U п = 15 В, U вих = -10 В, U вх = -10 В - 20 В/мкс;
Вхідний опір - 1 В· 10 11 Ом.
3.1.2 Джерело живлення індуктора
Синусоїдальний сигнал з амплітудою напруги 5 В і частотою 50 Гц виходить з генератора синусоїдальної напруги.
В
Ріс.3.1.2 Принципова схема перетворювача
У даній схемі використовуємо резистори:
R5-МЛТ-0 ,125-1кОм В± 5%
R6-МЛТ-0 ,125-1кОм В± 5%
R7-МЛТ -0,25 - 100 кОм В± 5%.
R8-МЛТ-0 ,125-56 Ом В± 5%.
Вибираємо по довіднику [4] операційний підсилювач К140УД17Б.
За довідником [4] підбираємо пару комплементарних транзисторів, мають близькі параметри:
Таблиця 3.2 Граничні електричні параметри кінцевих транзисторів
ПараметриКТ973А (npn) Кт972а (pnp) | Uкемакс |, В60? 60Iкмакс, А44Ркмакс, Вт88h 21Е 750750Тпмакс, ? Г‘150150
Згідно ріс.3.1.6, це будуть транзистори VT1 ​​(КТ973А) і VT2 (КТ972А).
3.1.3 Електромагнітний датчик
Схема електромагнітного датчика наведена на малюнку 3.3.
В
Малюнок 3.3 - Схема електромагнітного датчика
На схемі дано такі позначення:
Rм = 30 Ом - опір міді;
Rп = 300 кОм - опір втрат;
L = Т Г— Rм = 210 мГн - індуктивність обмотки збудження;
Х L = 2р Г— < span align = "justify"> f Г— L - опір обмотки збудження;
Х L = 2 Г— < span align = "justify"> 3.14 Г— 50 Г— 210 = 66 Ом;
Eп - живить синусоїдальна напруга частотою 50 Гц;
U вих - вихідна напруга датчика;
Ксв - коефіцієнт...