яка ставиться на вхід підсилювача (малюнок 5.1.1). br/>
В В
Рис.3.1.1 Схема плавного регулювання посилення
У даній схемі потенціометр виберемо зі стандартного ряду близьким до 50 Ом, тобто Rр = 47 Ом. Вхідний опір вхідного каскаду у багато разів більше, тому вхідний опір підсилювача буде визначатися тільки опором потенціометра Rр. Розділовий конденсатор Ср2 необхідний, по-перше, щоб не пропустити постійну складову від попереднього пристрою (яким, наприклад, може бути детектор), по-друге, щоб Rр НЕ шунтував по постійному струму базовий дільник, тим самим зберігається положення робочої точки.
Конденсатор Ср1 ставиться для того, щоб не змінити режим джерела сигналу.
Спотворення в області верхніх частот будуть максимальними, якщо движок потенціометра знаходиться у верхньому положенні, тобто Rр1 = 0; Rр2 = Rрег. Постійну часу верхніх частот для цього ланцюга можна знайти за формулою
В
4. Розрахунок підсилювача в області низьких частот
Спотворення в області великих часів вносять, в основному, розділові й блокувальні ємності. Зробимо розрахунок цих елементів, виходячи з умов ТЗ. p align="justify"> Тепер, коли відомо кількість спотворюють елементів, можна знайти спотворення в області нижніх частот припадають на один елемент, використовуючи формулу (3.4) і (6.1)
В
(6.1)
Розділові ємності знаходяться з формули [1]:
,
де і - опору, які стоять В«зліваВ» і В«справаВ» від ємності.
блокувальний ємності в ланцюзі емітера можна знайти з виразу
В
Таким чином, для вхідного каскаду (відразу перейдемо до номінальних значень)
В В В
Для предоконечного каскаду
В В
Для вихідного каскаду
В В
5. Оцінка нелінійних спотворень
Для оцінки нелінійних спотворень знайдемо коефіцієнт гармонік кінцевого каскаду. Визначимо коефіцієнт гармонік графічним способом, використовую динамічні характеристики транзистора. Прохідна характеристика представлена ​​в додатку А. Для інших каскадів немає сенсу шукати його так як вони працюють на малосигнальний режимі і похибки самих побудов будуть дуже великі. Знайдемо струми гармонік, як описано в [3]:
Використовуючи вхідну і вихідну динамічні характеристики, побудуємо наскрізну динамічну характеристику транзистора.
ЕРС джерела вхідного сигналу визначимо за такою формулою:
(7.1)
,
Результати обчислень зведемо в таблицю 7.1.
Таблиця 7.1
Ік, мА90120200250290iб, МА2, 53,75457,5 Uб, В1, 11,151,251,31,4 ec, В2, 2752,9153,33,654,925
За отриманими значеннями побудуємо...
