нку є забезпечення рівня внесених спотворень більше заданого, тобто забезпечення необхідної смуги пропускання підсилювача.
Принцип розрахунку кіл межкаскадних зв'язків однаковий для підсилювачів як на біполярних транзисторах, так і на польових транзисторах. Тому методику їх розрахунку розглянемо на прикладі підсилювача на біполярних транзисторах, виконаного за схемою з загальним емітером. Схема транзисторного каскаду з елементами RC-зв'язку наведена на малюнку 1. br/>В
Рисунок 1 - Схема трехкаскадного підсилювача змінного струму з RC-зв'язками
У наведеній на рисунку 2 схемі багатокаскадного підсилювача змінного струму перший і другий каскади посилення виконані за схемою з загальним емітером, при цьому в кожному з них використана послідовна ООС по струму навантаження для забезпечення температурної стабілізації режиму спокою.
Третій каскад посилення виконаний за схемою емітерного повторювача, що дозволяє зменшити вихідний опір підсилювача.
Для формування високочастотної частини характеристики підсилювача використана ланцюг загальної послідовної ООС по вихідній напрузі, яка збільшує вхідний і зменшує вихідний опір підсилювача. Для введення цієї зв'язку емітерний резистор транзистора VT1 розбитий на два послідовно включених. Це дозволяє в першому каскаді посилення зберегти достатній коефіцієнт посилення по змінному струмі при необхідній стабільності режиму спокою. br/>
3. СКЛАДАННЯ схеми заміщення підсилювального каскаду
В
а)
В
б)
Рисунок 2 - Схема заміщення підсилювального каскаду з RC-зв'язками на транзисторі VT1
- джерело вхідного сигналу;
- опір джерела вхідного сигналу;
- розділовий конденсатор на вході каскаду на транзисторі VT1;
- еквівалентний опір вхідного дільника по змінному струмі виконаний але резисторах і;
- представляє вихідний опір схеми на малюнку 2а);
- приведений до базової ланцюга опір резистора;
- приведений до базової ланцюга значення ємності;
- власне вхідний опір транзистора VT1.
В
а)
В
б)
Малюнок 3-Схема заміщення підсилювального каскаду з RC-зв'язками на транзисторі VT2
- джерело сигналу з каскаду на транзисторі VT1;
- вихідний опір каскаду на транзисторі VT1;
- розділовий конденсатор між першим і другим каскадом;
- еквівалентний опір вхідного дільника по змінному струмі виконане на резисторах і;
- вихідний опір схеми на малюнку 3а);
- приведений до базової ланцюга опір резистора;
- приведений до базової ланцюга значення ємності;
- власне вхідний опір транзистора VT2.
В
а) б)
Малюнок 4-Схема заміщення підсилювального каскаду з RC-з...
