Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » Розробка схеми та розрахунок основних параметрів фотоприймального пристрої ВОЛЗ в діапазоні швидкостей передачі 1-10 Гбіт / с, довжина хвилі 1,55 мкм

Реферат Розробка схеми та розрахунок основних параметрів фотоприймального пристрої ВОЛЗ в діапазоні швидкостей передачі 1-10 Гбіт / с, довжина хвилі 1,55 мкм





і вхідного опору підсилювача

С - ємність з паралельно включених ємностей фотодіода і вхідний ємності підсилювача.

Через значну постійної часу RC приймач з високим опором інтегрує реєстрований сигнал. Таким чином, після приймача необхідно включити в ланцюг коригуючий пристрій. Основним недоліком такої схеми є обмежений динамічний діапазон. Як правило, 15-25 дБ по оптичному сигналу. p align="justify"> трансімпедансним підсилювач застосовується для усунення обмеження динамічного діапазону підсилювача з високоомним входом (забезпечується динамічний діапазон аж до 40 дБ). Крім того, використовується негативний зворотний зв'язок для розширення смуги пропускання підсилювача. Напруга на виході приладу:


, [3, стор 274]


Де - опір зворотного зв'язку

- струм фотодіода.

Будемо вважати, що підсилювач складається з декількох каскадів. Однак, якщо перший каскад забезпечує досить високу посилення, то шуми, що вносяться подальшими каскадами, призведуть лише до незначного збільшення загального рівня шуму на виході. p> Для підсилювачів розглядається можливість використання трьох типів транзисторів:

1) кремнієвий польовий площинний;

2) кремнієвий біполярний площинний;

) польової канальний на арсеніді галію.

На частотах понад 1 ГГц доцільно використовувати у вхідному каскаді польовий канальний транзистор з арсеніду галію, з мінімальним фактором шуму NF (NoiseFactor).

Критерії вибору транзисторів:

Для польових транзисторів:

1) Крутизна вхідної характеристики транзистора g m повинна бути як можна вище, що забезпечить найбільший ріст значення струму стоку при збільшенні напруги затвор-витік.

2) Значення сили струму затвора Iз, ​​як і будь-якого струму витоку, має бути якомога менше.

Для біполярних транзисторів:

1) Значення сили струму колектора має бути якомога більше, а струму бази - менше, що забезпечить найбільший коефіцієнт передачі по току.

Так само, як і в 3 пункті наведемо ряд польових і біполярних транзисторів (див. таблиця 4, таблиця 5 відповідно):


Таблиця 4. Польові транзистори

модельF, ГГцgm, мСмIс, мАIз, мАNF, дБHexawave inc. HWL34YRF2.470012006н/дRFMD inc. Розрахунок мінімальної потужності оптичного випромінювання на вході фотоприймача


При розгляді шумів слід дуже уважно ставитися до того, що розуміється під цим терміном....


Назад | сторінка 9 з 11 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Дослідження біполярних і польових транзисторів
  • Реферат на тему: Розрахунок характеристик біполярних транзисторів
  • Реферат на тему: Розрахунок підсилювача постійного струму
  • Реферат на тему: Розробка комп'ютерних аналогів схем дослідження біполярних транзисторів
  • Реферат на тему: Розрахунок підсилювача постійного струму на операційному підсилювачі