Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Аналіз спектрів модуляційного фотовідбівання епітаксійніх плівок LT-GaAs, LT - (Ga, Mn) As

Реферат Аналіз спектрів модуляційного фотовідбівання епітаксійніх плівок LT-GaAs, LT - (Ga, Mn) As





зика: Учеб. посібник для вузів в 10 т. - т. 3. - 4-е вид., испр.- М.: Наука, 1989. - 704 с.

. Матвеєва Л.О. Структурна Досконалість и Електронні Параметри сульфідованої поверхні арсеніду галію / Л.О. Матвеєва, О.Ю. Колядіна, І. М. Матіюк, О.М. Міщук / / Фізика и хімія твердого тіла.- 2006. - Т. 7. - № 3.- С. 461-467.

12. Пихтіна A.H. Фотоотраженіе арсеніду галію / AH Пихтіна, M. Т. Тодоров / / Фізика і Техніка Напівпровідників.- 1993. - Т. 27. - № 7 - C. 1139-1145.

. Сотников А.Є. Спектроскопія фотоотраженія з довгохвильової оптичної накачуванням напівпровідникових лазерних структур / А.Є. Сотников та ін / / Квантова електроніка.- 2004. - Т. 34. - № 9.- С. 871-874.

14. Adachi S. Excitonic effects in the optical spectrum of GaAs / S. Adachi / / Physical Review B. - 1990. - V. 41. - № 2.- P. 1003-1013.

. Aspnes D.E. Application of reflectance difference spectroscopy to molecular beam epitaxy growth of GaAs and AlAs / DE Aspnes and other / / Journal of Vacuum Science Technology A. - 1988. - V. 6. - № 3.- P. 1327-1332.

. Aspnes D.E. Dielectric function and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV / DE Aspnes, A.A. Studna / / Physical Review B. - 1983. - V. 27. - № 2.- P. 985-1009.

. Aspnes D.E. Influence of spatially dependent perturbations on modulated reflectance and absorption of solids / DE Aspnes, A. Frova / / Solid State Communication.- 1969. - V. 7. - P. 155-159.

. Cardona M. Modulation Spectroscopy / M. Cardona / / Solid State Physics.- New-York: Academic, 1969. - P. 243-276.

. Christofides C. Two layer model for photomodulated thermoreflectance of semiconductor wafers / C. Christofides and other / / Journal of Applied Physics.- 1996. - V. 80. - № 3.- P. 1713-1725.

. Estera J.P. Complex Airy analysis of photoreflectance spectra for III-V semiconductors / JP Estera, W.M. Duncan, R. Glosser / / Physical review B. - 1994. - V. 49. - № 11.- P. 7281-7294.

21. Handbook of Mathematical Functions / edited by M. Abramowitz, JA Stegun.- Washington: NBS, 1972. - 567 p.

. Jackson J.D. Classical Electrodynamics / J.D. Jackson - 2 nd edn.- New-York: Wiley, 1975. - 345 p.

. Misiewicz J. Semiconductor heterostructures and device structures investigated by photoreflectance spectroscopy / J. Misiewicz / / Materials Science.- 2003. - V. 21. - № 3.- P. 263-320.

24. Misiewicz J. Spektroskopia fotoodbiciowa struktur p?? Przewodnikowych / J. Misiewicz, G. S? K, P. Sitarek.- Wroc? Aw: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wroc? Awskiej, 1999. - 249 s.

25. Nahory R.E. Reflectance modulation by the surface field in GaAs / RE Nahory, J.L. Shay / / Physical Review Letters.- 1968. - V. 21. - № 23.- P. 1569-1571.

. Ohno H. A ferromagnetic III V semiconductor: (Ga, Mn) As / H. Ohno, F. Matsukura / / Solid State Communication.- 2001. - V. 117. - P. 179-186.

27. Seraphin B.O. Band-structure analysis from electro-reflectance studies / BO Seraphin, N. Botka / / Physical Rewiev.- 1966. - V. 145. - № 2.- P.628-636.



Назад | сторінка 9 з 9





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Observant functions of Fund of guaranteing of holding of physical persons i ...
  • Реферат на тему: Осцилятор терагерцового діапазону на Основі надрешіткі AlAs / GaAs
  • Реферат на тему: Дослідження впливу форми контактних майданчиків на параметри виникаючих кол ...
  • Реферат на тему: Дослідження поверхні арсеніду галію за допомогою атомно-силової мікроскопії
  • Реферат на тему: Дослідження оптичних характеристик функціонального перетворювача світло-час ...