В;
амплітуда модулюючого напруги U?=0,1 В;
глибина модуляції:
.
. Постійна складова струму колектора:
mА.
. Визначимо параметри контуру в колекторі транзистора:
добротність
де прийнято? в=10 кГц.
Так як цим рівністю встановлюється верхня межа добротності, то приймемо Q=50 як конструктивно здійсниму;
ємність контуру Cк=5 +5 +611=621 пФ (тут прийнято См=5 пФ, Свих=5 пФ - див довідкові дані транзистора; С=600 пФ >> См + Свих).
індуктивність контуру:
мкГн;
опір контуру при резонансі:
Ом.
. Вихідна напруга при відсутності модуляції:
В;
коефіцієнт посилення по напрузі модулятора;
вихідна потужність в режимі несучої хвилі:
mВт mВт;
. Вхідний опір по МОДУЛЬОВАНІСТЬ сигналу:
Ом.
Розрахунок елементів схеми проводиться, як зазначено вище.
Рис. 7.4
. РОЗРАХУНОК ФАЗОВОГО МОДУЛЯТОРА
Один з варіантів фазового модулятора наведено на рис. 8.1.
Рис. 8.1
На транзисторі VT1 виконаний підсилювач з резонансним контуром LC3 і ланцюгами, що забезпечують лінійний режим транзистора (R1, R2, R3, C2).
Варікап V1 підключений паралельно контуру LС3, так що резонансна частота його:
,
де Св - ємність варикапа.
Дільник R5R6 забезпечує початкове зміщення варікапа.
Для розрахунку модулятора необхідно вибрати транзистор і варикап.
Вибір транзистора проводиться за двома критеріями:
) Гранична частота? У транзистора повинна бути більше робочої частоти модулятора;
) Вихідна потужність транзистора повинна бути більше заданої (необхідної).
Варікап повинен відповідати таким вимогам:
) Діапазон частот повинен бути більше робочої частоти модулятора;
) Ємність в робочій точці повинна задовольняти нерівності:
,
де Сmax і Cmin - максимальна і мінімальна ємності контуру.
Мінімальна ємність контуру:
,
де См=5 пФ ємність монтажу;
Ск - ємність колектор-емітер транзистора.
Максимальна ємність:
,
де Lmin - мінімальна індуктивність контуру, визначальна підсилювальні властивості модулятора, тому що:
,
де
Після вибору транзистора і варікапа проводиться розрахунок модулятора, який включає в себе:
розрахунок режиму;
розрахунок елементів схеми.
. Режим транзистора вибирається лінійним, тобто робоча точка повинна знаходитися на лінійній ділянці характеристики.
. Для обраного режиму визначається крутизна транзистора за формулою (див. розділ 4).
. Визначаються параметри контуру LC3:
мінімальну ємність контуру (включаючи ємність варикапа) вибираємо, тоді необхідна ємність варикапа в початковій робочій точці
;
індуктивність контуру
;
добротністю контуру слід задатися в межах Q=25-100, причому більша величина Q відповідає низьким частотам.
. Проводиться розрахунок модуляційної характеристики:
,
де;
? ...
