="justify">? поворот елементів і груп елементів на кути, кратні 90 °;
? копіювання, вставка або видалення елементів, груп елементів, фрагментів схем і цілих схем;
? зміна кольору провідників;
? виділення кольором контурів схем для більш зручного сприйняття;
? одночасне підключення декількох вимірювальних приладів і спостереження їх свідчень на екрані монітора;
? присвоювання елементу умовного позначення;
? зміна параметрів елементів у широкому діапазоні.
Всі операції проводяться за допомогою миші і клавіатури. Управління тільки з клавіатури неможливо.
Шляхом настройки приладів можна:
? змінювати школи приладів в залежності від діапазону вимірювань;
? задавати режим роботи приладу;
? задавати вид вхідних впливів на схему (постійні і гармонійні струми і напруги, трикутні і прямокутні імпульси).
Графічні можливості програми дозволяють:
? одночасно спостерігати кілька кривих на графіку;
? відображати криві на графіках різними кольорами;
? вимірювати координати точок на графіку;
? імпортувати дані в графічний редактор, що дозволяє провести необхідні перетворення малюнка і виведення його на прінтер.Workbench дозволяє використовувати результати, отримані в програмах P-SPICE, PCB, а також передавати результати на Electronics Workbench в ці програми. Можна вставити схему або її фрагмент в текстовий редактор і надрукувати в ньому пояснень або зауваження по роботі схеми.
.2.2 Дослідження біполярного транзистора за допомогою програми EWB
Вольт - амперні характеристики (ВАХ) транзисторів в будь-якої необхідної системі координат можна знімати по точках, вимірюючи відповідні постійні напруги і типи емітера, колектора і бази. Однак, такий метод, незважаючи на порівняно малу похибку змін ± (5-10)%, є досить трудомістким. Крім того, тривале перебування транзистора під струмом неминуче призводить до зміни його параметрів в процесі вимірювання.
Зазначені недоліки можна усувати, застосувавши для зняття статичних характеристик транзисторів осцилографічний метод, похибка якого складає ± (15-20)%, що цілком припустимо на практиці.
Оскільки вольт - амперні характеристики транзисторів визначаються трьома параметрами, для отримання зображення характеристики на екрані осцилографа один з параметрів має бути зафіксований. Тоді, подаючи на горизонтально і вертикально відхиляючі пластини напруги, пропорційні двом іншим параметрам, плавно змінюються за певним законом з часом, можна отримати вольт - амперну характеристику транзистора, відповідну фіксованому значенню першого параметра. Найчастіше в якості незалежного змінного параметра використовують однонапівперіодне синусоїдальна напруга.
Схема з ПРО володіє низьким коефіцієнтом передачі струму. Через це її застосовують рідко, в основному у високочастотних пристроях, де щодо посилення напруги вона краще інших. Схема з ОК володіє коефіцієнтом посилення по напрузі менше одиниці, тому застосовується для посилення струму. Основною схемою включення біполярного транзистора є схема з ОЕ.
Робота транзистора в електричному ланцюзі визначається його вхідними і вихідними статичними вольт-амперними характеристиками (ВАХ). Вхідний статичної ВАХ транзистора є залежність вхідного струму від вхідної напруги при сталості вихідної напруги. Вихідний статичної ВАХ транзистора є залежність вихідного струму від вихідної напруги при сталості вхідного струму. Статичні ВАХ знімають в режимі постійних струмів і напруг. Характеристики транзистора залежать від схеми його включення і містять інформацію про властивості транзистора у всіх режимах роботи при великих і малих сигналах. За ними можна визначити ряд параметрів, що не приводяться в довідковій літературі, а також розрахувати ланцюга зміщення, стабілізації режиму, оцінити роботу транзистора в широкому діапазоні імпульсних і постійних струмів, потужностей і напруг. Так як вид характеристики (залежність одного параметра від іншого) залежить ще й від третього параметра, то на площині одна характеристика описується поруч кривих, сукупність яких називають сімейством.
Дослідження статичних вольтамперних характеристик (вах) транзистора, включеного за схемою з ое (за допомогою осцилографа)
Сімейство вхідних ВАХ транзистора, включеного за схемою з загальним емітером, встановлює залежність струму бази від напруги U БЕ при U КЕ=const (рис. 9), а сімейство вихідних ВАХ...
