встановлює залежність струму колектора від напруги U КЕ при I Б=const (рис. 10).
Рис.9. Вхідні характеристики транзистора в схемі ОЕ
Вихідні характеристики транзистора в схемі ОЕ визначають залежність колекторного струму IK=f (U ке) при I б=const.
Рис.10. Вихідні характеристики транзистора в схемі ОЕ
Вихідні характеристики в схемі з загальним емітером (рис.10) істотно відрізняються від таких у схемі із загальною базою. Це пов'язано з тим, що напруга між колектором і емітером - це не напруга на колекторному переході, а сума напруг на двох переходах. Тому, якщо коллекторное напруга дорівнює нулю, то це означає, що до колекторного переходу докладено напруга, рівна напрузі на емітерний перехід з протилежним знаком. Тобто транзистор виявляється в режимі насичення. Струм колектора при цьому різко зростає із зростанням колекторного напруги до значень, рівних значенням напруги на базі. Після цього характеристики переходять на ділянку насичення, а транзистор - в активний режим. Струм колектора, як і для схеми із загальною базою, починає мало залежати від колекторного напруги. Так само як і для схеми із загальною базою, при подачі на базу зворотної напруги транзистор переходить в режим відсічення, якому відповідає нижня крива сімейства. Однак максимальне значення струму колектора при цьому досягає величини h 21е I до0 і виявляється значно більше, ніж у схемі із загальною базою. Вхідні характеристики для цієї схеми відрізняються меншим значенням вхідних струмів і характером впливу на них колекторного напруги. З ростом колекторного напруги збільшується ширина колекторного pn-переходу, зменшується ширина бази і знижується ймовірність рекомбінації носіїв, тобто знижується вхідний струм. Це також відбувається до напруги, рівного вхідному, надалі із зростанням колекторного напруги вид характеристики не змінюється. У довіднику також наводяться тільки дві вхідні характеристики.
При інверсному включенні транзистора характеристики відповідають таким же характеристикам для звичайного включення (активний режим). Внаслідок технологічних особливостей значення струмів при цьому виявляються трохи нижче.
Розрахунок h-параметрів для схеми включення з загальним емітером
? I б=const=0,2 мА
Величини А-параметрів можна визначити за статистичними вхідним і вихідним характеристикам задаючи прирощення одному з параметрів. Параметри h 11 і h 12 визначаються за вхідним характеристикам. Параметри h 21 і h 22 визначаються за сімейства вихідних характеристик.
Вхідний опір - опір транзистора вхідному струмі.
(1)
Коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі показує, яка частина вихідного сигналу транзистора надходить на його вхід.
(2)
Коефіцієнт посилення по струму показує у скільки разів зміна струму 1 до більше фіксованого зміни струму I б.
(3)
Вихідна провідність характеризує внутрішнє вихідний опір транзистора.
(4)
Дослідження статичних вольтамперних характеристик (вах) транзистора, включеного за схемою з об (за допомогою осцилографа)
Вхідна ВАХ - I е=F (U ЕБ) | Uкб=cons t I б=F (U бе) | Uке=const. Зібрана на схемі 11. Осцилограф поставлений в режимі В/А.
Ріс.11.Входние характеристики транзистора в схемі з ОЕ
У схемі з ОЕ висновок емітера є загальним для вхідний і вихідний ланцюгів транзистора, тому вхідним струмом є I б, вихідним - IK. Напруга живлення докладено між емітером і колектором. Вхідні характеристики для схем з ОЕ пов'язують струм і напруга бази при постійній напрузі U ке, т.е I б=f (U бе) при U ке=const.
Сімейство вихідних ВАХ - I к=F (U кб) | Iе=const.
Рис.12. Вихідні характеристики транзистора в схемі з ОЕ
У схемі із загальною базою вихідні характеристики являють собою практично горизонтальні лінії. Навіть при нульовій напрузі на колекторному переході контактної різниці потенціалів достатньо для екстракції всіх неосновних носіїв з базової області і подальше збільшення напруги на колекторному переході не приводить до зростання колекторного струму. При цьому вже з нульової напруги транзистор працює в активному режимі. Якщо змінити полярність напруги на емітер, то струм емітера стане рівним нулю і характеристика буде відповідати нижній кривій сімейства. Транзистор в цьому випадку буде перебувати в режимі відсічення. Струм колек...
