Розрахунок підсилювачів на біполярних транзисторах
Введення
Курсова робота з дисципліни «Основи схемотехніки» полягає в розрахунку типового підсилювального каскаду на біполярному транзисторі, включеному за схемою з загальним емітером.
Метою курсової роботи є:
· закріплення теоретичних знань, отриманих при вивченні дисципліни;
· формування поглибленого розуміння фізичних процесів в підсилювальних пристроях;
· вивчення методів розрахунку підсилювальних пристроїв та їх основних параметрів;
· ознайомлення з елементною базою аналогових електронних пристроїв;
· засвоєння правил складання та оформлення технічної документації.
Вихідні дані до курсової роботи включають:
· тип транзистора;
· номінальну напругу джерела живлення;
· опір резистора в ланцюзі колектора;
· опір навантаження каскаду.
Варіанти завдання видаються викладачем. Варіант завдання вибирається за двома останніми цифрами студентського квитка.
В результаті виконання курсової роботи студент повинен представити:
· пояснювальну записку;
· креслення принципової схеми підсилювального каскаду;
· перелік елементів.
Виконання даної курсової роботи покликане активізувати самостійну роботу студентів і є важливим етапом у формуванні професійних компетенцій.
1. Розрахунок підсилювального каскаду
.1 Вихідні дані до курсової роботи
транзистор стабілізація ланцюг заміщення
Таблиця 1 Вихідні дані
1. Тип активного елементаБіполярний транзістор2. Використовуваний активний елементКТ342Б3. Напруга джерела живлення, E п 6 В4. Опір колекторної навантаження, R до 0,12 кОм5. Номінал резистора в вихідний ланцюга, R н 0,18 кОм
У відповідності з заданими вихідними даними вибираємо схему включення з загальним емітером і з емітерний стабілізацією.
.2 Характеристики використовуваного транзистора
Проектоване пристрій заснований на біполярному транзисторі КТ342Б. Кремнієві планарні npn транзистори призначені для посилення і генерування коливань на частотах до 60МГц.
Корпус металевий, герметичний, з гнучкими висновками. Маса транзистора не більше 0,5 г.
Таблиця 2. Максимально допустимі параметри (гарантуються при температурі навколишнього середовища Т с=- 60 ... + 125 0 С)
I К max -Постійний струм колектора, мА.50I Е max -Постійний струм емітера, мА.300U ЕБmax -Постійний напруга емітер-база, В5U КБ max -Постійний напруга колектор-база, В30U КЕmax -Постійна напруга колектор-емітер при к.з. між Е і Б, В: КТ301E25P до max - Постійна розсіює потужність колектора, мВт При Т к=- 60 ... + 25 0 С250Т п мах - Температура переходу, 0 С150R т, п-к - Тепловий опір перехід-корпус, 0 С/мВт0,5Допустімая температура навколишнього середовища, 0 С - 60 ... + 125
Таблиця 3-Електричні параметри транзистора КТ301Е
НаіменованіеОбозначеніеЗначеніяРежіми ізмереніяminmax, В, В, мА, мА, МАF, МГцОбратний струм колектора, мкА 5 * 10 - 6 0,0520Обратний струм емітера, мкА 305Напряженіе насичення колектор-емітер, В 0,050,1101Напряженіе насичення база-еміттер, В 0,60.9101Модуль коефіцієнта передачі струму на високій частоті: 3101,520Статіческій коефіцієнт передачі струму в схемі з ОЕ: 20050051Емкость колекторного переходу, пФ 48510Входное опір в режимі малого сигналу, Ом 2005110 - 3 Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті , нс 300515Обратний струм колектор-емітер (R б? 10 кОм) 3025Гранічное напруга транзистора, В 205
Таблиця 4. Вхідні і вихідні характеристики біполярних транзисторів
ТранзісторВходние характерістікіВиходниехарактрістікіКТ342Б
1.3 Схема ланцюга живлення та стабілізації режиму роботи транзистора
Схема включення біполярного транзистора із загальним емітером і з емітерний стабілізацією зображена на малюнку.
