Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Розрахунок підсилювачів на біполярних транзисторах

Реферат Розрахунок підсилювачів на біполярних транзисторах





fy"> 2. Побудова навантажувальної прямої по постійному струму


Рівняння навантажувальної прямої при виборі схеми включення біполярного транзистора.



Навантажувальну пряму будуємо по двох точках:

1) при I до =0 і U ке = E п =12 В


2) при U ке =0 і


Робоча точка (т.РТ) вибирається в точці перетину навантажувальної прямої з вихідною характеристикою.


Для визначення параметрів спокою побудуємо також вхідну характеристику транзистора.

Параметри режиму спокою:

U керт = 2,5 В

I КРТ = 25 мА

I брт = 0,075 мА

U Берт = 0,63В

I Ерт =I КРТ + I брт = 25 · 10 -3 + 0,075 · 10 - 3=25,075 мА

3. Розрахунок дільника в ланцюзі бази


Розрахуємо опору дільника R Б1, R Б2 в ланцюзі бази. Чим більше буде наскрізний струм дільника I Д= E /( R Б1 + R Б2), тим стабільніше буде режим роботи при заміні транзистора і зміні температури навколишнього середовища, але тим більше буде струм, споживаний каскадом від джерела живлення, тому наскрізний струм дільника вибирають з компромісних міркувань. Наскрізний струм дільника вибираємо з умови I д=(3? 10) I б рт.

Виберемо струм дільника, що протікає через, з умови :; Нехай, тоді



Відповідно до закону Ома, опір резистора:



(номінал Rб2=2,4кОм ± 5%)




Розрахуємо опір резистора R Б1:



(номінал Rб1=8,2кОм ± 5%)



4. Визначення h - параметрів транзистора по статичних характеристиках


За статичними характеристиками транзистора можна визначити три з чотирьох h -параметрів: вхідний опір h 11Е, статичний коефіцієнт передачі струму бази транзистора h 21Е і вихідну провідність h 22Е.

) Вхідний опір при короткому замиканні по змінному струмі на виході транзистора:



2) Статичний коефіцієнт передачі струму бази транзистора при короткому замиканні по змінному струмі на виході транзистора

визначають за вихідним характеристикам транзистора. Для знаходження параметра h21 Е необхідно задати прирощення струму бази? I Б і визначити відповідне прирощення струму колектора? I К.



3) Вихідна провідність в режимі холостого ходу на вході транзистора визначають також як і параметр h 21Е по вихідним характеристикам транзистора. Для знаходження параметра h 22Е необхідно задати прирощення напруги колектор-емітер? U КЕ і визначити відповідне прирощення струму колектора? I До.



4) Коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі, вимірюваний при холостому ході на вході транзистора про приводиться в довідниках статичним характеристикам визначити неможливо. Для всіх типів біполярних транзисторів і робочих точок прийнято ( D I до , D I до , D U бе , D U ке - прирости, взяті симетрично щодо робочої точки РТ).



5. Розрахунок параметрів елементів схеми заміщення транзистора


1) Ємність колекторного переходу при напрузі колектор - база U КБ= U КБ рт:


U КБ рт= E - I До рт R К - ( I До рт + I Б рт) R Еге - U БЕ рт




) Вихідний опір транзистора:



3) Опір колекторного переходу транзистора:



Назад | сторінка 2 з 5 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Методи збільшення коефіцієнта посилення по струму біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок параметрів кремнієвого інтегрального МДП-транзистора
  • Реферат на тему: Дослідження характеристик і параметрів біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок однокаскадного підсилювача біполярного транзистора