ВСТУП
Двотактні ключі являються собою много каскадні транзісторні схеми, Які прізначені для забезпечення сталості вихідного опору ключа в обох его станах. Такоже Такі ключі дозволяють розподіліті Потужність, яка комутується между всіма вікорістовуванімі транзисторами.
Метою виконан даного курсового проекту є виконан Наступний завдань:
. Провести огляд схемотехнікі двотактніх ключів и Розробити методику їх розрахунку.
. Віконаті повний розрахунок Наступний схем: підсілювального каскаду Із спільнім емітером, автоколівального мультівібратора, одновібратора, генератора напруги что лінійно змінюється та синхронного тригера.
Виконання розрахунку зазначену вищє схем предполагает розрахунок всех параметрів необхідніх для нормального Функціонування тієї чи Іншої схеми, а такоже результати моделювання, аналіз результатів моделювання та розрахунків.
1. Розробка МЕТОДИКИ розрахунки ДВОТАКТНОГО КЛЮЧА
. 1 Аналіз схемотехнікі двотактніх ключів
Однотактні ключі, мают високий вихідний Опір (R н, або R с) в розімкненому стані. Тому смороду погано Працюють, если навантаженості є ємність або лінія передачі. У цьом випадка доцільне! Застосування двотактніх ключів (рис. 1.1) [9, 10].
Малюнок 1.1 - Двотактні ключі на потужном МДП - транзисторах.
На схемі рис. 1.1, а транзистори VT1 ??и VT3, включені по схемі Із загально виток, нормально (U вх lt; U 0) закриті. Напруга на стоку VT1, рівна U CВвім? Е ж, поступає на вихід через вітоковій Повторювач, зібраній на транзісторі VT2. Его вихідний Опір:
(1.1)
де S 2 - крутизна VТ2. При U вх gt; U 0 транзистори VT1 ??и VT3 відкриті, Різниця потенціалів между їх стоками около до нуля и VT2 закритий. При цьом вихідний Опір ключа
(1.2)
де S 3 - крутизна VT3. Зазвічай VT2 и VT3 застосовуються одного типу, тому забезпечується однакове и мале R вих в обох станах ключа. Значення R вих ? 50 Ом забезпечується при вікорістовуванні транзісторів з S 0 ? 20 мА/В.
Ключ на рис. 1.1, б можна розглядаті як комбінацію власне ключа з двотактнім віхіднім каскадом на комплементарних ПТ VT2 и VT3. При цьом VT2 Забезпечує прискореного заряд, а VT3 - прискореного розряд. Значення R вих відповідають наведеному вищє. Зважаючі на малу пошіреність потужном МДП - транзісторів з каналом р-типу (VT2) ця схема застосовується рідше, чем схема на рис. 1.1, а.
Оцінімо примерно годину перемикань ключа на рис. 1.1, а. У початкових стані VT1 закритий и віхідна напряжение:
(1.3)
При подачі вхідного імпульсу начинает розряджатіся загальна віхідна ємність:
(1.4)
Велику часть годині розряду струм розряду дорівнює:
(1.5)
Отже, годину розряду
(1.6)
де - перепад напруги на віході. Тут Верхні Індекси в дужках вказують на номер транзистора.
При знікненні вхідного імпульсу VT1 и VT3 закріваються. Перехідній процес обумовлення зарядом ємності в колі стоку VT1 и віхідної ємності. Постійна годині заряду ємності в колі стоку VT1
(1.7)
де З м - ємність монтажу. Постійна годині заряду віхідної ємності
(1.8)
Година заряду можна оцініті, як:
(1.9)
Для Зменшення t з , и t р можна використовуват трансформаторних корекцію (рис. 1.2) [10].
Малюнок 1.2 - Ключ з автотрансформаторное корекцією
Трансформатор представляет собою 7-8 вітків Подвійного дроту, намотаніх на сердечник діаметром 5 мм. Розсовуванням вітків и зміною їх числа здійснюється підстроювання схеми (по мінімуму t з , и t р и відсутності помітніх вікідів у вихідних імпульсів).
Оскількі потужні МДП - транзистори відносно дорогі, предста...
