Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Методика розрахунку двотактного ключа

Реферат Методика розрахунку двотактного ключа





вляет Інтерес Зменшення їх кількості з трьох до двох (рис. 1.3).


Малюнок 1.3 - Схема двотактного ключа на двох транзисторах.


Тут, если VT1 ??закрівається, закрівається и діод VD. Заряд накопічується Струмило стоку Повторювач на VT2. Постійна годині цього процесса Постійна годині заряду ємності в колі стоку VT1


(1.10)


результуюча Постійна годині заряду


(1.11)


При включенні VT1 напряжение на стоку VT1 Швидко падає и розряд відбувається через діод VD, что Відкрився, и транзистор VT1 (VT2 при цьом закритий).

Недоліком опису схеми є ті, что рівень віхідної напруги менше (нерідко на 10 ... 15 В). Це пов'язано з великим U ЗВ у транзистора Повторювач. У ключі на рис. 1.4 при Закритому VT1 розряд С н здійснюється VT4. А при відкрітому VT1 (VT4 закритий) заряд С н забезпечується спарених ключем на двох потужном ВЧ - біполярніх транзисторах. Ця схема может працювати НЕ только на ємність, но и на мале активне НАВАНТАЖЕННЯ, забезпечуючі [9].


Малюнок 1.4 - Ключ на польових и біполярніх транзисторах.


Недоліком схем на рис. 1.1, а і рис. 1.2 є велика вхідна ємність (сума вхідніх ємностей VT1 и VT3). При великих R г gt; 10 Ом це может привести до помітного Збільшення годині перемикань. Цей недолік помітно ослабінь в схемі на рис.1.5.


Малюнок 1.5 - Ключ зі зменшеності вхідною ємністю.


Тут VT4 керується напругою, что знімається зі стоку VT1, а VT3 - тією ж напругою, про інвертованім ключем на біполярному транзісторі VT2 [10].


. 2 Розробка методики розрахунку двотактного ключа


Розробімо методику розрахунку двотактного ключа (рис 1.1, а).

Початкові параметри:

· напряжение живлення Е ж ;

· струм стоку I c ;

· Потужність, что розсіюється P троянд ;

· крутизна характеристики Польового транзистора S ;

· напряжение СТІК-вітік U св ;

· загальна віхідна ємність З 0 ;

· ємність НАВАНТАЖЕННЯ З н ;

· вхідна напруга уровня логічної одиниці U 1 ;

· порогова напряжение U 0 .

. Обираємо всі трьох польові транзистори одного типу віходячі з умів:


(1.12)


Остання Умова Умова є необхідною для того, щоб Забезпечити необхідній годину розряду віхідної ємності. Для Зменшення годині розряду сума винна буті якомого менше, для Збільшення - якомого більша.

. Розраховуємо стоковий резистор за формулою:


(1.13)


3. Если на вхід подається рівень логічного нуля, тобто віконується Умова


(1.14)


то у схемі на рис. 1.1, а транзистори VT1 ??и VT3, включені по схемі Із загально виток, закриті. Напруга Із стоку VT1, через Відкритий VT2 потрапляє на VT3, и дорівнює напрузі виходим ключа


(1.15)


Вихідний Опір транзистора VT2 є віхіднім опором ключа и візначається за формулою (1.1)


де S 2 - крутизна VТ2.

. Если на вхід подається рівень логічної одиниці, тобто віконується Умова


(1.16)


то транзистори VT1 ??и VT3 відкриті, Різниця потенціалів между їх стоками около до нуля и VT2 закритий. При цьом вихідний Опір ключа візначається за формулою (1.2)



де S 3 - крутизна VT3.

Если VT2 и VT3 застосовуються одного типом то забезпечується однакове и мале R вих в обох станах ключа.

. Віхідна напряжение при подачі на вхід логічної одиниці візначається за формулою (1.3)



Загальна віхідна ємність візначається за формулою (1.4):



Струм розряду візначаєть...


Назад | сторінка 2 з 8 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Методика розрахунку електронного ключа на польових транзисторах
  • Реферат на тему: Розробка технологічного процесу одержання заготовки гайкового ключа
  • Реферат на тему: Розрахунок потужного високовольтне ключа
  • Реферат на тему: Розробка системи генерації та перевірки достовірності сертифікату відкритог ...
  • Реферат на тему: Розробка програми розрахунку певного інтеграла за формулою Буля за схемою п ...