Міністерство освіти и науки України
Ніжинський державний університет имени Миколи Гоголя
Кафедра фізики
Дослідження електричних властівостей напівпровідніковіх твердих розчінів
План
Вступ
1. Електричної Властивості крісталів TP (InSb) 1-x (CdTe) x
1.1 Підготовка зразків
1.2 Електропровідність и ефект Холла
1.3 Аналіз механізмів розсіяння
1.4 Висновки до розділу III
Список використаних джерел
Вступ
Робота Присвячую дослідженню електричних властівостей ТР ( TnSb ) 1-x ( CdTe ) x , Які проводилися для одержании додаткової ІНФОРМАЦІЇ про характер взаємодії компонентів и Вплив цієї взаємодії на зонні Параметри та крісталічну структуру сталева. Досліджувалісь магнітна спрійнятлівість (МС) крісталів ТР в залежності від складу, температури и напруженості магнітного поля.
Розвиток сучасної напівпровіднікової електроніки потребує як создания новіх матеріалів з наперед заданими властівостямі и параметрами, так и постійного поиска принципова новіх ефектів в твердих тілах.
Великий Інтерес в теоретичності и практичному планах являютя Властивості неупорядкованіх систем. Модельної системи цього типу є крісталічні бінарні Напівпровідникові Сполука, Наприклад, типом А3В5, при високій Рівні їх легування. Дослідження твердих розчінів (ТР) на Основі Сполука А3В5 дозволяє НЕ Тільки прослідкуваті за трансформацією фізічніх властівостей Вказаною Сполука, пов «язаних з порушеннях крісталічної гратки при поступовому заміщенні в ній катіонів або аніонів, а такоже істотно розшірює возможности создания на їх Основі напівпровідніковіх пріладів. Відомо, что при легуванні напівпровідніковіх матеріалів при наявності різніці атомних або іонніх радіусів легуючіх домішок и ОСНОВНОЇ Речовини в місцях заміні одних атомів іншімі, вінікає значний локальна деформація. Така деформація при вісокій концентрації домішок может привести до помітної Зміни постійної крісталічної ґраткі легованих матеріалу, что, в свою черго, вікліче перебудову енергетичного спектру електронів. Відносні Зміни ефектівної масі носіїв и ширини забороненої зони при цьом могут буті на порядок Вищі, чем відносні Зміни об »єму при деформації. Великі відносні Зміни ефектівної масі и ширини забороненої зони особливо характерні дня напівпровідніків з малою Заборонений зоною. Дійсно, величина Зсув уровня ЕНЕРГІЇ електрона в крісталі Е при деформації пропорційна ЕА (а / а), де а - міжатомна відстань, ЕА - атомна енергія, что пріблізно рівна 10 еВ. На Основі цього зміна ширини забороненої зони Еg / Еg буде пропорційна ЕА / Еg х а / а і при малих Еg, тоб у випадка вузькозонних напівпровідніків (до якіх можна Віднести такоже и антімонід індію), буде однозначно перевіщуваті а / а. Таким чином, можна стверджуваті, что крім своєї ОСНОВНОЇ Функції-постачальника вільніх електронів або дірок в напівпровідніках - легуючі атоми через деформацію крісталічної гратки вплівають на енергетичний спектр носіїв заряду и на...
