Реферат Розробка конструкції гібрідної мікросхеми

Зміст

Вступ

аналіз Завдання

Вибір и техніко-економічне обгрунтування збільшеного технологічного процеса

Вибір матеріалів и компонентів

Розрахунок и обгрунтування конструкцій плівковіх ЕЛЕМЕНТІВ

Розрахунок и обгрунтування Розмірів плати

Розробка топології

Вибір корпусу

Висновок

Список використаної літератури

Вступ

Сучасний етап розвітку радіоелектронікі характерізується широким Використання інтегральніх мікросхем в усіх радіотехнічніх системах и апаратурі.

Це пов'язано з значний ускладненням вимог и завдань, Які вірішуються РЕА, что прізвело до зростання числа ЕЛЕМЕНТІВ в ній. У ціх умів ВАЖЛИВО Значення набуваються проблеми Підвищення надійності апаратури та ее ЕЛЕМЕНТІВ и мініатюрізації електрорадіоелементів та самої апаратури. Ці проблеми успішно вірішуються Із ЗАСТОСУВАННЯ мікроелектронікі. Мікроелектроніка - це Розділ електроніки, Який охоплює Дослідження та розробки якісно нового типу Електрон апаратів, інтегральніх мікросхем та Принципів їх Використання.

Мікроелектроніка характерізується тім, что вместо виготовлення окрем деталей, з якіх будується радіотехнічній Пристрій чг апаратура, виготовляють окремі функціональні Вузли - мікросхеми. Формування інтегральніх мікросхем в мікро об'ємі твердого тіла здійснюється за рахунок Використання ДОСЛІДЖЕНЬ фізики твердого тіла та електронного машинобудування на Основі якісно Нової технології.

Існує два основних методу создания інтегральніх мікросхем:

метод локального впліву на мікро ділянки твердого тіла;

метод Виникнення схем у твердому тілі Завдяк нанесення тонких плівок різніх матеріалів на спільну основу з одночаснім формуваня з них мікроелементів та їх з'єднань (плівок ІМС). p> гібридна інтегральна схема - це мікросхема, яка являє собою комбінацію плівковіх Пасивні ЕЛЕМЕНТІВ та дискретних активних компонентів, розташованіх на спільній діелектрічній підложці.

аналіз Завдання

Основна задача даної курсової роботи Полягає в розробці конструкцій інтегральної мікросхеми и технологічного Напрямки ее виробництва згідно Із завдання у технічному завданні принципова електрична схему.

Об'єкт проектування - гібридна мікросхема. У порівнянні Із напівпровідніковімі інтегральнімі схемами гібрідні мікросхеми, Із Погляду виробництва, мают ряд Перевага:

Забезпечують широкий ДІАПАЗОН номіналів;

Менші Межі допусків и Кращі електричної характеристики Пасивні ЕЛЕМЕНТІВ.

У якості навісніх компонентів в ГІС Використовують мініатюрні діскретні конденсатори, резистори, котушкі індуктівності, дроселі, трансформатори.

У усному завданні навіснімі компонентами є транзистори.

Наявність Певного числа контактних зварних з'єднань обумовлює Меншем Надійність ГІС у порівнянні Із напівпровідніковою ІС. Прото можлівість проведення попередніх іспітів и Вибори активних и Пасивні навісніх компонентів дозволяє создать ГІС и мікрозбіркі Достатньо вісокої надійності.

У даній курсовій работе об'єктом проектування є діференційній підсилювач К118УД1, Який містіть в Собі Шість резісторів и Чотири транзистора.

вихідні дані наведені в табліці 1:

Таблиця 1. span align=center>

позначені. на схемі

Найменування та тип

данні

Кіл-ть

Прим. /Td>

R1, R5

Резистор 4к

4 мВт

2

R2

Резистор 1,8 до

2,7 мВт

1

R3

Резистор 4к

3,2 мВт

1

R4

Резистор 1,7 до

2,5 мВт

1

R6

Резистор 5,7 до

4,2 мВт

1

VT1

Транзистор КТ307Б

1

навісній

VT2

Транзистор КТ307Б

1

навісній