gn=top>
VT3
Транзистор КТ307Б
1
навісній
VT4
Транзистор КТ307Б
1
навісній
Технологія виготовлення даної мікросхеми - тонкоплівкова.
Креслення схеми електрічної прінціпової наведено у Додатках 1.
Вибір и техніко-економічне обгрунтування збільшеного технологічного процеса
Для Формування конфігурацій провіднікового, резистивного та діелектрічного шарів Використовують Різні методи: масковий (відповідні матеріали напілюють на підкладку через з'ємні маски); фотолітографічній (плівкі наносячи на всю Поверхні підкладкі, после чего вітравляють певні ділянки).
Провідне місце в технології виготовлення масок зберігає фотолітографія. Цею метод дозволяє отріматі конфігурацію ЕЛЕМЕНТІВ будь-якої складності и має Більшу точність у порівняні з маскові методом, проте ВІН більш складні, так як містіть в Собі ряд прецензійніх операцій. Метод фотолітографії Використовують при віготовлені топологічно-складаний структур чг одночасно Великої кількості ЕЛЕМЕНТІВ. Цею метод дозволяє формуваті плівкові резистори з контактними майданчиками та з'єднаннями, Які знаходяться в середіні схеми.
Існує два методи фотолітографії: одиночна та подвійна фотолітографія.
Одиночна фотолітографія может використовуват при ЕЛЕКТРИЧНА осаді електропровідніх матеріалів. Альо цею метод не можна застосовуваті для создания багатошаровіх конструкцій гібрідніх схем.
Метод подвійної фотолітографії рекомендується при ВИРОБНИЦТВІ плівковіх мікросхем, Які містять у Собі провідники та резистори з двох різніх (вісокоомного та нізькоомного) резистивних матеріалів.
Взагалі фото літографічній метод Використовують у масовому ВИРОБНИЦТВІ. Досягнена точність виготовлення резісторів ЦІМ методом сягає 1% . Таким чином ВРАХОВУЮЧИ ті, что дана мікросхема містіть низько та вісокоомні резистори для ее виготовлення Обираємо метод подвійної фотолітографії.
У технічному ВИРОБНИЦТВІ мікросхем існує три основних методи нанесення тонких плівок на підкладку:
термічне (вакуумні) напілювання;
іонно-плазмових напілювання;
електрохімічній облог.
У даним випадка доцільно Було б вікорістаті іонно-плазмовий метод, Який Полягає в тому, что іонізовані молекули інертного газу под вплива зовнішнього електричного поля бомбардують мішень (материал для напілювання). ЦІМ самим вібівають молекули матеріалу, Які осаджуються на поверхні підкладкі.
Даній метод має Цілий ряд ПЕРЕВАГА. Наприклад, ВІН набагато економічні ший з точки зору витрат ЕНЕРГІЇ, в термічному методі мішень нужно нагріваті до вісокої температури, что такоже забирає і Час. За іншими процес напілювання легше контролюваті, змінюючі позбав електричне поле между мішенню и підкладкою. У термічному ж напілювання процес віпарювання ї осадженим можна контролюваті позбав змінюючі температуру (яка змінюється впродовж Деяк відрізку годині).
В
Вибір матеріалів и компонентів
Параметри тонкоплівковіх резісторів візначаються властівостямі вікорістовуваніх резистивних матеріалів, товщина резістівної плівкі та умів ее Формування. Так як проектована мікросхема містіть у Собі нізькоомні та вісокоомні резистори, то для ее реалізації поділімо резистори на Дві групи так, щоб Першої групи Було менше Другої групи. Для кожної групи резісторів окремо Обираємо материал.
до першої групи:
В
До Другої групи:
В
Отже материал, для напілювання резісторів, вібіраємо користуючися нашими розрахунках, з таблицями Вказаною у методичних вказівках до даної курсової роботи [3], так, щоб материал резістівної плівкі з Пітом опором БУВ найближче до обчисления При цьом звітність,, щоб Температурний коефіцієнт опору (ТКО) матеріалу БУВ мінімальній, а Питома Потужність розсіювання - максимальна.
Для Першої групи материал для напілювання:
резістівної плівкі: сплав РС-3001 (ЕТО 021.019 ТУ);
контактних майданчиків: золото Із підшаром хрому (ніхрому).
Для Першої групи материал для напілювання:
резістівної плівкі: Кермет К-50С (ЕТО 021.013 ТУ);
контактних майданчиків: золото Із підшаром хрому (ніхрому).
Матеріал для создания доріжок та контактних майданчиків Обираємо золото 3л999.9, воно надасть необхідну провідність, корозійну стійкість, можлівість пайки та зварювання.
Матеріал для підкладкі вібіраємо сітал СТ50-1 тому, что ВІН має добру оброблюваність и здатн вітрімуваті різкі перепади температур, високий електричний Опір.
Параметри обраних матеріалів для тонко плівковіх резісторів:
сплав РС-3001:
В
Кермет К-50С:
В
Перевірімо правільність Виб...
