Міністерство освіти Республіки Білорусь
Установа освіти
В«Брестський державний університет імені А.С. Пушкіна В»
Фізичний факультет
Кафедра фізики твердого тіла
Квантовий вихід світлочутливих структур напівпровідник-метал-діелектрик
Курсова робота за спеціалізацією В«Фізика твердого тілаВ»
спеціальності Фізика (науково-педагогічна діяльність)
Брест, 2010р
ЗМІСТ
ВСТУП
1. СПОСІБ ВИЗНАЧЕННЯ К.П.Д. СВІТЛОЧУТЛИВИХ СИСТЕМ НАПІВПРОВІДНИК-МЕТАЛ
2. ФОРМУЛА ВИНАХОДИ
3. РЕФЕРАТ опис винаходу
4. СУЧАСНІ СВІТЛОДІОДИ
5. Як влаштований І ПРАЦЮЄ СВІТЛОДІОД
6. ОТРИМАННЯ Блакитний світлодіод
7. ОТРИМАННЯ БІЛОГО СВІТЛА З допомогою світлодіодів
ВИСНОВОК
Список використаних джерел
Введення
Матеріал - один з видів речовини, що йде на виготовлення виробів. Одна з вимог до нього - стабільність, збереження внутрішньої будови в процесі тривалої експлуатації, що притаманне тільки твердому агрегатному стану. При переробці матеріалу в вироби (різання, дифузія, окислювання, нанесення покриттів і т.д.), коли впливають, переважно, на поверхневі шари, матеріали не повинні змінювати внутрішньої будови. Проте стабільність відносна, мінливість ж - абсолютна. Остання проявляється як залежність від зовнішніх впливів, основні з яких: зміна температури - тепловий рух атомів і частинок; рух електронів, іонів і цілих груп атомів під дією полів; дифузія - всі її види; структурні дефекти і неоднорідність самого матеріалу. Звідси і умовність термінів і класифікацій. Навіть загальноприйняте поділ матеріалів на провідники, напівпровідники і діелектрики вельми відносно. Так при дуже низьких температурах різниця між напівпровідниками і діелектриками стирається, а при підвищених температурах напівпровідники стають хорошими провідниками. Крім того, є речовини, що займають проміжне положення між цими типами матеріалів, що надає широкий вибір для інженерної творчості.
Спосіб визначення к.к.д. світлочутливих систем напівпровідник-метал
Пропонований спосіб визначення к.к.д. світлочутливих систем напівпровідник-метал може знайти практичне застосування в фотолітографії, Оптотехніка систем напівпровідник-метал, при визначенні к.к.д. фотокатодів.
При опроміненні системи напівпровідник-метал фотоактивним світлом відбувається дифузія іонів металу з металевого шару в шар напівпровідника. Для кількісної оцінки фотохімічних перетворень, що відбуваються в системі напівпровідник-метал, необхідно визначити квантовий вихід частинок (іонів) металу в напівпровідник, тобто к.к.д. світлочутливої вЂ‹вЂ‹системи.
К.П.Д. (Квантовий вихід) є важливою характеристикою фотохімічної реакції. Він характеризує співвідношення числа прореагували і поглотивших світло молекул (атомів). p> Питомий опір тонких (50-300Г…) шарів металу залежить від їх товщини. На цьому базується метод визначення квантового виходу частинок металу в напівпровідник. У ньому по експериментальної залежності питомого опору від товщини металевого шару визначалася товщина шару Ag, розчиненого в As 2 S 3 під дією фотоактивного світла. Основним недоліком запропонованого способу є експоненціальна залежність питомого опору від товщини шару, що пов'язане з великими похибками.
Особливість пропонованого способу полягає в реєстрації зміни опору металевого шару системи напівпровідник-діелектрик під дією падаючого випромінювання.
Фотохімічна реакція може бути охарактеризована кількома квантовими виходами: первинним і загальним, пов'язаним з виходом продуктів. Практично важко, а іноді взагалі неможливо, визначити концентрацію частинок (отже, і квантовий вихід), що утворюються в первинному процесі. Разом з тим легко визначити концентрацію кінцевих продуктів, що утворюються в результаті вторинних реакцій. При цьому загальний квантовий вихід визначається співвідношенням:
, (1)
де N - число утворилися під дією поглинених фотонів молекул або іонів, n - число квантів світла, поглинених вихідною речовиною.
Тобто, під квантовим виходом (к.к.д.) часток (іонів) металу в шар напівпровідника при фотохімічних перетвореннях в системі напівпровідник-метал мається на увазі відношення числа іонів металу N, дифундувати в шар напівпровідника під дією світла, до поглинених системою квантів світла n. Число квантів світла n, поглинених системою напівпровідник-метал на даній довжині хвилі, визначається за допомогою каліброваного фотоприймача по поглиненої системою напівпровідник-метал енергії, яка розраховується за величиною падаючої енергії за вирахуванням відображеної і пройшла енергій.
Тобто, визначення О· зводиться до визначення...
