N. Для вимірювання квантового виходу частинок (атомів, іонів) з металевого шару в шар напівпровідника пропонується спосіб контролю кількості металу, розчиненого в напівпровіднику при опроміненні, що не вимагає вимірювання товщини металевого шару. Товщина металевого шару вибирається свідомо великий, щоб він володів фізико-хімічними властивостями, близькими до властивостей масивного металевого зразка. Крім того, точність визначення числа частинок металу, дифундувати в напівпровідник, визначається лише точністю вимірювання опору, довжини і ширини металевого шару, які можна виконати за високою точністю.
До опромінення системи фотоактивним світлом опір металевої змійки 3 (фіг.)
В
Фіг. 1. Схема світлочутливої вЂ‹вЂ‹системи напівпровідник-метал на діелектричній підкладці
, (2)
де ПЃ - питомий опір металу, B - загальна довжина металевої смужки, D - ширина, Н - товщина смужки.
При опроміненні системи напівпровідник-метал відбувається дифузія іонів металу з металевого шару 3 в шар напівпровідника 2. Експериментально виявлено, що провідність чистого і легованого частками металу напівпровідника значно нижче провідності залишився металевого шару. Легко показати, що опір металевого шару після опромінення системи
, (3)
де h - ефективна глибина опромінюється ділянки; H, b - товщина металевого шару і довжина опромінюється ділянки. Ефективна глибина h - це глибина металевого шару, на якій утворилися непровідні продукти реакції. Як випливає з виразів (2) і (3),
. (4)
У свою чергу, число іонів металу, дифундувати з області опромінюваної ділянки в напівпровідник,
, (5)
де d, Ој - густина і молекулярний вага металу відповідно. Як випливає з виразу (5), значення N явно не залежить від ефективної глибини h і тому відпадає необхідність у її визначенні.
Техніко-економічні переваги запропонованого способу у порівнянні з прототипом полягають у підвищенні точності вимірювань, економії енергетичних і тимчасових витрат, необхідних для реалізації способу, зумовленої простотою вимірювань опору, відсутністю необхідності визначення товщини і питомого опору металевого шару, зменшенням числа операцій обробки результатів.
Формула винаходу
Спосіб визначення к.к.д. світлочутливих систем напівпровідник-метал, що включає послідовне нанесення напиленням на діелектричну підкладку через трафарет шару металу (у вигляді змійки) товщиною 200 нм, шару дийодиду олова товщиною 50 - 150 нм, експонування ультрафіолетовим або видимим світлом, вимірювання енергії, поглиненої системою, вимірювання опору металевого шару (змійки), відрізняється тим, що число іонів металу, дифундувати з опромінюється ділянки в напівпровідник, визначають по зміні опору металевого шару в процесі опромінення.
Реферат опису винаходу
Пропонований спосіб визначення к.к.д. світлочутливих систем напівпровідник-метал може знайти практичне застосування в фотолітографії, Оптотехніка систем напівпровідник-метал, при визначенні к.к.д. фотокатодів.
Пропонується спосіб визначення к.к.д. світлочутливих систем напівпровідник-метал, що включає послідовне нанесення напиленням на діелектричну підкладку через трафарет шару металу (у вигляді змійки), шару дийодиду олова, експонування ультрафіолетовим або видимим світлом, вимірювання енергії, поглиненої системою, вимірювання опору металевого шару (змійки), що відрізняється тим, що число іонів металу, дифундувати з опромінюваної ділянки в напівпровідник, визначають по зміні опору металевого шару в процесі опромінення.
Сучасні світлодіоди
В останні роки ми стали свідками стрімкого розвитку і революційного вдосконалення світлодіодів (скорочено ОІД - світловипромінюючі діоди, в англійському варіанті LED - Light emitting diodes) - твердотільних напівпровідникових джерел світла. Ще недавно світлодіоди були всього лише пристроями індикації, а сьогодні це вже високоефективні джерела світла, які в найближчі 10-15 років перетворять світ штучного освітлення і повністю замінять лампи розжарювання.
Щоб зрозуміти, чому светодиодам пророкують велике майбутнє, розглянемо докладніше їх пристрій, історію створення та розвитку. У 1907 році англійський інженер Раунд, який трудився у всесвітньо відомій лабораторії Марконі, випадково помітив, що у працюючого детектора навколо точкового контакту виникає світіння. Всерйоз ж зацікавився цим фізичним явищем і спробував знайти йому практичне застосування В«незбагненно талановитий російськийВ» Олег Володимирович Лосєв.
Виявивши 1922 року під час своїх нічних радіовахту світіння кристалічного детектора, цей, тоді ще 18-річний, радіоаматор не обмежився констатацією В«дивногоВ» факту, а негайно перейшов до оригінальних експериментів. Прагнучи отримати стійку генерацію кристала, він пропускав через точковий контакт діодного детектора струм від батар...
