Введення
Основним завданням курсової роботи з дисципліни В«Фізика напівпровідників і діелектриківВ» є з'ясування фізичної суті явищ і процесів, що лежать в основі роботи різних напівпровідникових структур і дискретних напівпровідникових приладів, а також елементів інтегральних мікросхем (ІМС); придбання практичних навичок розрахунку електрофізичних характеристик напівпровідникових структур; ознайомлення зі значеннями параметрів напівпровідникових матеріалів та їх розмірностями і розвиток навичок самостійної роботи з науково-технічною літературою.
Тема даної курсової роботи є актуальною, так як сучасний науково-технічний прогрес нерозривно пов'язаний з розширенням масштабів застосування радіотехнічних систем і систем телекомунікацій. Складовою частиною цих систем є радіоелектронна апаратура, що містить величезну кількість радіокомпонентів. Напівпровідникова електроніка інтенсивно розвивалася вже з початку 30-х років. Вчені досліджували фізичні процеси в напівпровідниках і вплив домішок на ці процеси. Була розроблена квантова теорія напівпровідників, введено поняття рухливих вільних місць кристалічної решітки напівпровідника, що одержали назву дірок, створена теорія генерації пар В«електрон-діркаВ». У 60-х роках були створені перші інтегральні схеми. Інтегральні мікросхеми призначені для реалізації переважної більшості апаратурних функцій. Їх елементи виконані і об'єднані всередині або на поверхні загальної підкладки, електрично з'єднані між собою і укладені в єдиний корпус. Всі або частину елементів створюються в єдиному технологічному процесі з використанням групових методів виготовлення. А наприкінці 70-х років з'явилися надвеликі інтегральні схеми (НВІС), що містять від 10 4 до 10 6 елементів на кристалі при розмірі елементів від 1 до 3 мкм [3].
Розвиток радіотехніки продовжується і по сьогоднішній день, і буде продовжувати вдосконалюватися в майбутньому.
1. Опис фізичних процесів в заданій напівпровідникової структурі
Елементи напівпровідникової інтегральної мікросхеми - діоди, транзистори, резистори, конденсатори - являють собою сукупність різних напівпровідникових структур.
До таких напівпровідникових структур належать: контакти метал-напівпровідник, електронно-діркові переходи, структури метал-діелектрик-напівпровідник (МДП).
На електрофізичних властивостях різних контактів засновані принципи дії переважної більшості ІМС.
На межі розділу між двома різними за типом електропровідності напівпровідниками або між напівпровідником і металом виникають потенційні бар'єри, що є наслідком перерозподілу концентрації рухливих носіїв за...
