Міністерство освіти Республіки Таджикистан
Методичка
По курсу:
"Мікроелектроніка"
У цій роботі наведено класифікацію інтегральних мікросхем (ІМС). Дані загальні методи розрахунку конструювання топології тонкоплівкових елементів (ПЕ) гібридних ІМС. Описано методи отримання тонких плівок. Наведено приклад розрахунку ТЕ і розробки топологічної структури гібридної ІМС. У додатку наводяться варіанти схем завдання для курсової роботи. p align="justify"> Посібник призначений для студентів радіотехнічних спеціальностей при вивченні курсу "Мікроелектроніка" і може бути використано при курсовому і дипломному проектуванні.
ЗМІСТ
Введення
. Класифікація інтегральних мікросхем
. Розрахунок і проектування резистивних елементів
. Розрахунок і проектування плівкових конденсаторів
. Плівкові індуктивні елементи
. Елементи комутації
. Навісні компоненти ГІС
. Підкладки ГІС
. Способи нанесення тонких плівок
8.1 Метод термічного випаровування
.2 Іонно-плазмове напилення (катодне напилення)
.3 Електрохімічне і хімічне нанесення плівок
9. Завдання на курсову роботу: "Розробка топології гібридної тонкопленочной ІМС"
. Методичні вказівки до виконання курсової роботи
. Приклад розрахунку
Література
Додаток
резистивний конденсатор індуктивний напилення
Введення
Мікроелектроніка - найбільш динамічно розвивається напрямок електронної техніки, визначальне науково-технічний прогрес в обчислювальній техніці, радіоелектроніці, приладобудуванні, автоматиці, промисловості засобів зв'язку, що робить істотний вплив на розвиток багатьох інших галузей промисловості, таких як машинобудування, автомобілебудування, авіабудування тощо
Розвиток мікроелектроніки характеризується постійним оновленням технічних ідей, зміною технології виробництва виробів мікроелектроніки, розширенням областей її застосування і виділенням ряду нових перспективних напрямів (базові матричні кристали, програмовані логічні матриці, мікропроцесорна техніка).
Основним завданням мікроелектроніки є комплексна мініатюризація електронної апаратури - обчислювальної техніки, апаратури зв'язку, пристроїв автоматики. Комплексна мініатюризація призводить до зниження вартості, матеріаломісткості, енергоспоживання, маси і габаритів виробів, підвищенню надійності та збільшенню обсягу виконуваних електронною апаратурою функцій. Мікроелектронна технологія дозволяє різко розширити масштаби виробництва мікроелектронної апаратури, створити потужну індустрію інформатики, задовольнити потреби суспільства в інформаційному забезпеченні. p align="justify"> Тому при підготовці сучасного радіоінженера необхідно приділити особливу увагу придбанню знань в області мікроелектроніки.
1. Класифікація інтегральних мікросхем
За способом виготовлення і одержуваної при цьому структурі інтегральні мікросхеми (ІМС) підрозділяються на два типи:
. напівпровідникові ІМС
. гібридні ІМС.
Напівпровідникові ІМС - це монолітні пристрої, в яких всі елементи виготовлені на єдиній напівпровідникової підкладці і в єдиному технологічному циклі.
За напівпровідникової технології в основному виготовляються цифрові ІМС малої, середньої та великої ступеня інтеграції; мікропроцесори, мікрокомп'ютери; а також низькочастотні аналогові, аналого-цифрові пристрої (операційні підсилювачі, компаратори, аналогові, цифроаналогові перетворювачі і т. д.).
Гібридна інтегральна мікросхема є мініатюрну друковану плату з напиленими провідними доріжками, до яких припаюються, приварюються або приклеюються дискретні безкорпусні елементи (транзистори, діоди, чіпи безкорпусних напівпровідникових ІМС), а також формуються на друкованій платі пасивні елементи (резистори, конденсатори, котушки індуктивності).
За способом виготовлення пасивних елементів гібридні інтегральні мікросхеми (ГІС) поділяються на :) товстоплівкові ГІС ;) тонкоплівкові ГІС.
У товстоплівкових ГІС для нанесення плівок вико...
